[发明专利]防溅装置及腐蚀工艺反应设备有效
申请号: | 201811619002.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109698149B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 黄鑫亮;夏楠君;王勇威;范文斌;李元升;张伟锋;祝福生;吴光庆;吴娖;陈苏伟;王文丽 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 腐蚀 工艺 反应 设备 | ||
1.一种防溅装置,应用于腐蚀工艺反应设备,其特征在于:所述防溅装置包括防溅筒、升降挡板以及挡板驱动装置;
所述防溅筒的顶部和底部分别具有开口,且所述防溅筒能够套设于腐蚀工艺反应设备的反应台的周面上且与所述周面之间形成导流间隙;所述升降挡板与所述防溅筒固定连接;所述挡板驱动装置与所述升降挡板传动连接,用于驱动所述升降挡板带动所述防溅筒进行升降运动;
所述防溅装置还包括限位框;所述限位框包括水平顶框以及分别垂直于所述水平顶框分布于所述水平顶框的两端的第一竖直侧框和第二竖直侧框,且在所述第一竖直侧框和所述第二竖直侧框的相互面对的相对面上分别设置有沿竖直方向延伸的导向槽,所述升降挡板以能够沿所述导向槽上下滑动的方式与所述限位框连接;
在所述水平顶框的朝向所述升降挡板的框面上还设置有高压喷气孔,且所述高压喷气孔通过导气管路与高压气泵连接。
2.根据权利要求1所述的防溅装置,其特征在于:
所述挡板驱动装置包括气缸、驱动连接板和升降连接板,
所述驱动连接板与所述气缸的活塞杆的输出端连接,且所述驱动连接板通过所述升降连接板与所述升降挡板连接。
3.根据权利要求1所述的防溅装置,其特征在于:
所述挡板驱动装置包括步进电机、齿轮齿条传动机构、驱动连接板和升降连接板,
所述齿轮齿条传动机构包括齿轮和沿竖直方向延伸的齿条,所述齿轮设置于所述步进电机的输出轴上并与所述齿条啮合,所述齿条固定于所述驱动连接板上,且所述驱动连接板通过所述升降连接板与所述升降挡板连接。
4.根据权利要求1所述的防溅装置,其特征在于:
所述挡板驱动装置包括步进电机、丝杠螺母传动机构、驱动连接板和升降连接板,
所述丝杠螺母传动机构包括丝杠和螺母,所述丝杠与所述步进电机的输出轴连接,所述螺母套设于所述丝杠上并与所述驱动连接板连接,所述驱动连接板通过所述升降连接板与所述升降挡板连接。
5.根据权利要求1所述的防溅装置,其特征在于:
在所述防溅筒的顶部开口的筒壁上设置有向所述顶部开口的中心点延伸形成的环状内沿。
6.一种腐蚀工艺反应设备,其特征在于:包括反应室、反应台、以及权利要求1-5中任一项所述的防溅装置,所述反应台设置于所述反应室的内部;
在所述反应室的腔壁上开设有腔壁开口,所述挡板驱动装置设置于所述反应室的腔体外壁上,所述升降挡板穿过所述腔壁开口伸入所述反应室的内部,且,所述防溅筒套设于所述反应台的周面上且与所述周面之间形成导流间隙。
7.根据权利要求6所述的腐蚀工艺反应设备,其特征在于:
在所述反应室的腔壁外壁上还固定有缓冲连接板,在所述缓冲连接板上设置有油压缓冲器,
且所述缓冲连接板位于所述挡板驱动装置的下方,配置成在所述挡板驱动装置下降至最低位置的工况下与所述挡板驱动装置的下端抵接。
8.根据权利要求6所述的腐蚀工艺反应设备,其特征在于:
所述反应台为由下而上半径逐渐缩小的圆台状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造