[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的形成方法。首先，提供一基板，并在上述基板的高电位预定区中形成具有相反导电型态的第一阱与第二阱。接着，形成高电位区氧化层于上述高电位预定区的基板上，然后在上述基板的低电位预定区中形成具有相反导电型态的第三阱与第四阱，之后，形成低电位区氧化层于上述低电位预定区的基板上。

技术领域

本发明有关于一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种半导体装置的高电位区的阱与低电位区的阱的形成方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，有时须将高压集成电路元件的工艺整合至低压集成电路元件的工艺中，以将高压集成电路元件与低压集成电路元件同时整合至半导体装置中。

然而，将高压集成电路元件的工艺整合至低压集成电路元件的工艺中时，所形成的低压集成电路元件可能会受到高压集成电路元件的工艺的影响而降低其可靠度。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法。上述半导体装置的形成方法包括提供基板。上述基板包括低电位预定区以及高电位预定区。上述方法亦包括形成第一阱与第二阱于上述高电位预定区的基板中。上述第一阱与第二阱具有相反的导电型态。上述方法亦包括形成高电位区氧化层于上述高电位预定区的基板上、在形成上述高电位区氧化层之后形成第三阱与第四阱于上述低电位预定区的基板中。上述第三阱与第四阱具有相反的导电型态。上述方法亦包括形成低电位区氧化层于上述低电位预定区的基板上。

本发明实施例亦提供一种半导体装置。上述半导体装置包括基板。上述基板包括低电位区以及高电位区。上述半导体装置亦包括第一阱与第二阱。上述第一阱与第二阱位于上述高电位区的基板中，且上述第一阱与第二阱具有相反的导电型态。上述半导体装置亦包括位于上述高电位区的基板上的高电位区氧化层、位于上述低电位区的基板中的第三阱与第四阱。上述第三阱与第四阱具有相反的导电型态。上述半导体装置亦包括位于上述低电位区的基板上的低电位区氧化层。上述高电位区氧化层的厚度大于上述低电位区氧化层的厚度。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。

图1至图12为一系列的剖面图，用以说明本发明实施例的半导体装置的形成方法。

附图标号：

10～第一金属氧化物半导体场效应晶体管；

20～第二金属氧化物半导体场效应晶体管；

12～第一源极/漏极区；

22～第二源极/漏极区；

14～第一栅极电极；

24～第二栅极电极；

100～基板；

100L～低电位预定区；

100H～高电位预定区；

102～牺牲氧化层；

200、300、700、800～注入掩膜；

202～第一阱；

302～第二阱；

400、900～掩膜层；

602～高电位区氧化层；

604～第一氧化层；

702～第三阱；

802～第四阱；

1102～低电位区氧化层；

1104～第二氧化层；