[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811617682.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021561B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:
提供一基板，其中该基板包括一低电位预定区以及一高电位预定区；
形成一牺牲氧化层于该基板之上；
形成一第一阱与一第二阱于该高电位预定区的基板中，其中该第一阱与该第二阱具有相反的导电型态；
进行一刻蚀工艺移除该高电位预定区的基板上的牺牲氧化层，但保留该低电位预定区的基板上的牺牲氧化层；
形成一高电位区氧化层于该高电位预定区的基板上与一第一氧化层于该低电位预定区之基板上之牺牲氧化层上，其中形成该高电位区氧化层与该第一氧化层的步骤包括一热氧化工艺，且该第一氧化层与该低电位预定区之基板上之牺牲氧化层的厚度总和大于或等于
在形成该高电位区氧化层之后，其中于该低电位预定区之基板上之牺牲氧化层与该第一氧化层充当一屏蔽氧化层，形成一第三阱与一第四阱于该低电位预定区的基板中，其中该第三阱与该第四阱具有相反的导电型态；以及
形成一低电位区氧化层于该低电位预定区的基板上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一氧化层与该低电位预定区的基板上的牺牲氧化层的厚度总和为100至
3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，在形成该低电位区氧化层于该低电位预定区的基板上的步骤之前，还包括:
进行一刻蚀工艺移除该低电位预定区的基板上的牺牲氧化层与该第一氧化层。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，进行该刻蚀工艺移除该低电位预定区之基板上之牺牲氧化层与该第一氧化层的步骤之前，更包括：
形成一掩膜层于该高电位区氧化层上，其中该掩膜层覆盖该高电位区氧化层，但露出该低电位预定区之基板上之牺牲氧化层及该第一氧化层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成该低电位区氧化层的厚度小于该高电位区氧化层的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，包括该第三阱区与该第四阱区于该低电位预定区之基板形成一互补式金属氧化物半导体场效应晶体管。
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