[发明专利]一种八路微带-矩形波导功率合成器有效

专利信息
申请号: 201811616246.6 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109768362B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 黄文华;郭乐田;邵浩;谢少毅;李佳伟;巴涛 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 八路 微带 矩形波导 功率 合成器
【权利要求书】:

1.一种八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:由两个九端口网络E和一个三端口网络D级联而成;

每个网络E由两个三端口网络A、一个四端口网络B和一个五端口网络C级联而成;

每个网络A包括:

第一输入矩形波导(104)、设置在第一输入矩形波导腔体(105)内并紧贴腔体宽边底面的PCB介质板(103),设置在PCB介质板(103)上的两条输入微带线(102),所述两条输入微带线(102)沿所述第一输入矩形波导(104)的传输方向延伸,构成两个屏蔽带线输入端口;两条输入微带线(102)之间设有多个隔离电阻(101),多个隔离电阻(101)两侧均分别通过金属线与所述两条输入微带线(102)相连;多个隔离电阻(101)沿所述第一输入矩形波导(104)的传输方向间隔排布;在隔离电阻(101)和两条输入微带线(102)之间的空间(106)处设置有金属隔板(108);两条输入微带线(102)末端连接有与PCB介质板(103)等高的介质矩形波导(107);介质矩形波导(107)经过至少三级窄边依次变大的E面,过渡至第一输出矩形波导(109),第一输出矩形波导(109)的输出端口作为网络A的输出端口;

每个网络B包括:

间距设置的第二输入矩形波导(21)和第三输入矩形波导(22);第二输入矩形波导(21)和第三输入矩形波导(22)沿传输方向H面合成为宽边大于单个输入矩形波导宽边两倍的第一矩形波导腔(23);所述第一矩形波导腔(23)宽边外侧面接有第四矩形波导(24),第四矩形波导(24)的宽边方向与所述第一矩形波导腔(23)的传输方向平行;第一矩形波导腔(23)经过至少三级宽边依次变小的H面,过渡至第二输出矩形波导(25);

每个网络C包括:

第五输入矩形波导(33)、第三输出矩形波导(35)、第四输出矩形波导(34)、第一微带输出端口(31)、第二微带输出端口(32)、第三微带输出端口(36)和第四微带输出端口(37);

第五输入矩形波导(33)经过至少三级E面过渡结构,功分至第三输出矩形波导(35)和第四输出矩形波导(34);第三输出矩形波导(35)和第四输出矩形波导(34)分别功分至第一、二微带输出端口(31、32)和第三、四微带输出端口(36、37);

两个网络A的第一输出矩形波导(109)分别与一个网络B的第二输入矩形波导(21)、第三输入矩形波导(22)连接,网络C的第五输入矩形波导(33)与网络B的第四矩形波导(24)连接,从而构成一个网络E;

网络D包括:

间距设置的第六输入矩形波导(42)和第七输入矩形波导(43);第六输入矩形波导(42)和第七输入矩形波导(43)沿传输方向E面合成为窄边大于单个输入矩形波导窄边两倍的第二矩形波导腔(44);在第二矩形波导腔(44)的起始端中间插入有与第二矩形波导腔宽边底面平行的表面镀有电阻膜的陶瓷片(41);陶瓷片(41)的长度不小于-ln(0.5)/α,α为电场衰减常数;

两个网络E中网络B的第二输出矩形波导分别与网络D的第六输入矩形波导和第七输入矩形波导相连,构成所述八路微带-矩形波导功率合成器。

2.根据权利要求1所述的八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:网络B中的第二输入矩形波导(21)、第三输入矩形波导(22)、第四矩形波导均是窄边压缩矩形波导。

3.根据权利要求1或2所述的八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:所述陶瓷片(41)的厚度小于0.5毫米。

4.根据权利要求3所述的八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:所述陶瓷片(41)的厚度为0.254毫米。

5.根据权利要求3所述的八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:网络A中的介质矩形波导(107)经过四级窄边依次变大的E面,过渡至第一输出矩形波导(109);网络B中的第一矩形波导腔经过四级宽边依次变小的H面,过渡至第二输出矩形波导。

6.根据权利要求5所述的八路微带-矩形波导功率合成器,其特征在于:所述隔离电阻(101)至少有三个。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所,未经西北核技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811616246.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top