[发明专利]应用于电容器的陶瓷复合介电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种复合介电膜，其特征在于，所述复合介电膜包括基体和填料，所述填料分散在所述基体中，所述基体包括聚偏氟乙烯，所述填料包括包覆镍的钛酸钡粉体，所述填料的体积百分比为1％～50％。

2.根据权利要求1所述的复合介电膜，其特征在于，所述复合介电膜的厚度为0.01μm～30μm，优选地厚度为0.02μm～1μm。

3.权利要求1所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1)将钛酸钡粉体与镍盐溶液混合、干燥、烧结，制备包覆镍的钛酸钡粉体；

2)将步骤1)包覆镍的钛酸钡粉体与硅烷偶联剂溶液混合搅拌、清洗、干燥，制备得到硅烷改性包覆镍的钛酸钡粉体；

3)将步骤2)硅烷改性包覆镍的钛酸钡粉体与聚偏氟乙烯溶液混合，制备得到混合浆料；

4)将步骤3)的混合浆料涂覆、干燥，制备得到所述复合介电膜。

4.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述钛酸钡粉体与镍盐的质量比为5:1～100:1；

所述镍盐选自硝酸镍、硫酸镍、氯化镍、乙酸镍中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述干燥温度为100℃～150℃，干燥时间为3h～12h；

在还原气氛中烧结，所述还原气氛选自一氧化碳、氢气中的至少一种，所述烧结温度为600℃～950℃，所述烧结时间为2h～6h。

6.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，

所述硅烷偶联剂选自γ-氨基丙基三乙氧基硅烷，γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，γ-巯丙基三乙氧基硅烷,γ-巯丙基三甲氧基硅烷，N-β(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。

7.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述包覆镍的钛酸钡粉体与硅烷偶联剂的质量比为100:1～10000:1；

混合搅拌的温度为40～100℃，所述混合搅拌的时间为3～5h；

干燥温度为40～100℃，干燥时间为3～12h。

8.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，

步骤3)中，所述聚偏氟乙烯溶解在有机溶剂中，有机溶剂选自丙酮、四氢呋喃、甲基乙基丙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、四甲基脲、二甲亚砜、磷酸三甲酯、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种；

包覆镍的钛酸钡粉体在固体中的体积占比为1％～50％；

混合时间为2～6h，混合方式为球磨、机械搅拌中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的复合介电膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述涂覆方式为刮涂、喷涂、辊涂、涂布、印刷中的至少一种；

复合介电膜的厚度为0.01μm～30μm，优选地厚度为0.02μm～1μm；

在负压下干燥，干燥时间为1h～10h。

10.权利要求1-2任一项所述的复合介电膜的用途，其用于电容器。