[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

说明书

本发明提供一种弹性波装置，该弹性波装置作为高声速膜而具有氮化硅层，其中，不易产生IMD特性的劣化，且不易产生氮化硅层的自毁。一种弹性波装置，在由半导体构成的支承基板(2)上直接或间接地层叠有SiNsubgt;x/subgt;层(3)，在SiNsubgt;x/subgt;层(3)上直接或间接地层叠有压电膜(5)，弹性波装置具备直接或间接地层叠在压电膜(5)的至少一个主面上的IDT电极(6)，在SiNsubgt;x/subgt;层(3)中，x处于1.34以上且1.66以下的范围。

技术领域

本发明涉及具有在作为高声速膜的SiN_x层上层叠有低声速膜以及压电膜的构造的弹性波装置、以及使用了该弹性波装置的高频前端电路和通信装置。

背景技术

以往，已知在高声速膜上层叠有低声速膜以及压电膜的弹性波装置。在下述的专利文献1记载的弹性波装置中，使用了在支承基板上依次层叠有高声速膜、低声速膜以及压电膜的层叠体。在压电膜上设置有IDT电极。

在专利文献1中，记载了如下要点，即，支承基板能够由各种绝缘性陶瓷或玻璃等电介质、硅或氮化镓等半导体、或树脂基板等构成。此外，示出了如下要点，即，关于高声速膜，能够由氮化铝、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅等构成。作为低声速膜的材料，可举出氧化硅、玻璃、氮氧化硅等。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/086639号

然而，本申请的发明人发现，在专利文献1记载的弹性波装置中，在支承基板由半导体构成且作为高声速膜而使用了氮化硅的情况下，根据其组成，IMD特性(交调)会变差。此外，发现根据氮化硅的组成，氮化硅膜有时会自毁。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，解决由本申请的发明人发现的这种新的课题。即，本发明的目的在于，提供一种不易产生IMD特性的劣化且不易产生氮化硅膜的自毁的弹性波装置。

本发明的另一个目的在于，提供一种使用了本发明涉及的弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。

用于解决课题的技术方案

本发明涉及的弹性波装置具备：支承基板，由半导体构成；SiN_x层，直接或间接地层叠在所述支承基板上；压电膜，直接或间接地层叠在所述SiN_x层上，具有相互对置的一对主面；以及IDT电极，直接或间接地设置在所述压电膜的至少一个主面上，在所述SiNx层中，x处于1.34以上且1.66以下的范围。

在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，还具备：低声速膜，层叠在所述SiN_x层与所述压电膜之间，由传播的体波(bulk wave)的声速比在所述压电膜传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。

在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述半导体为硅。

在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，还具备：绝缘膜，层叠在所述压电膜与所述IDT电极之间。优选地，所述绝缘膜由氧化硅构成。在该情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值，能够改善温度特性。

在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，提供一种弹性波谐振器，还具备：反射器，配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧。

在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，提供一种弹性波装置，其是带通型滤波器。

本发明涉及的高频前端电路具备按照本发明构成的弹性波装置和功率放大器。

本发明涉及的通信装置具备按照本发明构成的高频前端电路和RF信号处理电路。

发明效果