[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置有效
| 申请号： | 201811608066.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110166016B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 高井努;山本浩司;岩本英树 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朴云龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弹性 装置 高频 前端 电路 以及 通信 | ||
【权利要求书】：
1.一种弹性波装置，具备：
支承基板，由半导体构成；
SiNx层，直接或间接地层叠在所述支承基板上；
压电膜，直接或间接地层叠在所述SiNx层上，具有相互对置的一对主面；以及
IDT电极，直接或间接地设置在所述压电膜的至少一个主面上，
在所述SiNx层中，x处于1.34以上且1.66以下的范围。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
还具备：低声速膜，层叠在所述SiNx层与所述压电膜之间，由传播的体波的声速比在所述压电膜传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述半导体是硅。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
还具备：绝缘膜，层叠在所述压电膜与所述IDT电极之间。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述绝缘膜由氧化硅构成。
6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
还具备：反射器，配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，
所述弹性波装置是弹性波谐振器。
7.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是带通型滤波器。
8.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～7中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
9.一种通信装置，具备：
权利要求8所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
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