[发明专利]半导体器件隔离侧墙制造方法在审
| 申请号： | 201811607276.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686665A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 任佳;韩朋刚;孙文彦;康天晨 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离侧墙 牺牲层 刻蚀 形貌 侧墙 半导体器件 去除 制造 半导体隔离 覆盖隔离 器件隔离 器件性能 非对称 均一性 下层 制作 | ||
1.一种半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)制作半导体隔离侧墙(spacer)；
2)制作牺牲层覆盖隔离侧墙(spacer)
3)进行第一次牺牲层刻蚀去除部分牺牲层；
4)进行隔离侧墙刻蚀形成设计形貌的隔离侧墙(spacer)；
5)进行第二次牺牲层刻蚀去除全部牺牲层。
2.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述半导体器件是NAND flash。
3.如权利要求2所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述半导体器件是2X NAND flash。
4.如权利要求3所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述牺牲层是有机介电层(organic dielectric layer,ODL)或旋涂碳(spin on carbon，S0C)。
5.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述第一次牺牲层刻蚀将牺牲层刻蚀至隔离侧墙非对称形貌起始位置。
6.如权利要求5所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述第一次牺牲层刻蚀采用干法刻蚀。
7.如权利要求6所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述第一次牺牲层刻蚀采用氮气(N2)、氢气(H2)、二氧化硫(SO2)或氧气(O2)。
8.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述设计形貌是方形隔离侧墙图形形貌。
9.如权利要求5所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述隔离侧墙刻蚀将剩余牺牲层以上的隔离侧墙刻蚀去除。
10.如权利要求9所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述隔离侧墙刻蚀采用干法刻蚀。
11.如权利要求10所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述隔离侧墙刻蚀采用氟碳化合物(CxHy)气体或氟代烃基化合物气体(CxHyFz)作为基气。
12.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述第二次刻蚀采用干法刻蚀。
13.如权利要求12所述的半导体器件隔离侧墙制造方法，其特征在于：所述第二次刻蚀采用氮气(N2)、氢气(H2)、二氧化硫(SO2)或氧气(O2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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