[发明专利]微发光二极管显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811606193.X | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109786418B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开一种微发光二极管显示面板和显示装置,其中,微发光二极管显示面板包括:上基板、下基板、上电极、下电极,第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管以及图像传感器阵列,其中,上基板和下基板在第一方向上间隔设置;上电极设于上基板的靠近下基板的一侧,下电极设于下基板的靠近上基板的一侧;第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管和图像传感器阵列均设于上电极和下电极之间,且第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管和图像传感器阵列沿第二方向间隔排布。本发明提出的微发光二极管显示面板除了具备优异的显示性能外,还具有扫描功能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种微发光二极管显示面板和显示装置。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)于显示器元件中的使用,起自于TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)背光模组的应用。TFT-LCD为一非自发光的平面显示器,其元件功能类似光控制开关,需有一提供光源的背光模组。自1990年代TFT-LCD开始蓬勃发展时,即有厂商利用LED作为液晶显示器之背光源,其具有高色彩饱和度、省电、轻薄等特点。然当时因成本过高、散热不佳、光电效率低等因素,并未大量应用于TFT-LCD产品中。
至2000年代,将蓝光LED chip(发光二极管芯片)封装于含萤光粉的树脂中而制成的白光LED,其制程、效能、成本已逐渐成熟;至2008年左右,白光LED backlight module(背光模组)呈现爆发性的成长,几年间即全面取代传统的CCFL backlight module(冷阴极管背光模组),其应用领域包括手机、平板电脑、笔记型电脑、桌上型显示器,乃至电视和公用看板。
Micro LED Display(微发光二极管显示器)的显示原理,系将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1~10μm等级左右;后将μLED(或称ULED,微发光二极管)批量式转移至电路基板上(含下电极与晶体管),其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上;再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,即可进行上基板的封装,完成一结构简单的微发光二极管显示器。
微发光二极管的典型结构是一PN接面二极管,由直接能隙半导体材料构成。当上下电极施加一顺向偏压于微发光二极管,致使电流通过时,电子、电洞对于Active region(主动区)复合,而发射出单一色光。现有的微发光二极管显示器大多仅具有显示功能,功能单一。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种微发光二极管显示面板,旨在使得该微发光二极管显示面板还具备扫描功能。
为实现上述目的,本发明提出的微发光二极管显示面板,包括:上基板和下基板,所述上基板和所述下基板在第一方向上间隔设置;上电极,设于所述上基板的靠近所述下基板的一侧;下电极,设于所述下基板的靠近所述上基板的一侧;第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管,所述第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管均设于所述上电极和所述下电极之间,且所述第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管沿第二方向间隔排布;以及,图像传感器阵列,所述图像传感器阵列设于所述上电极和所述下电极之间。
可选地,所述图像传感器阵列为薄膜晶体管-光电二极管二维传感器矩阵,所述薄膜晶体管-光电二极管二维传感器矩阵包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管。
可选地,所述光电二极管包括用于感测红光的第一光电二极管、用于感测绿光的第二光电二极管和用于感测蓝光的第三光电二极管。
可选地,所述第一光电二极管、所述第二光电二极管和所述第三光电二极管均为PIN型光电二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的