[发明专利]微发光二极管显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201811606193.X | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786418B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
上基板和下基板，所述上基板和所述下基板在第一方向上间隔设置；
上电极，设于所述上基板的靠近所述下基板的一侧；
下电极，设于所述下基板的靠近所述上基板的一侧；
第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管，所述第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管均设于所述上电极和所述下电极之间；以及，
图像传感器阵列，设于所述上电极和所述下电极之间，所述第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管以及所述图像传感器阵列沿第二方向间隔排布；
所述图像传感器阵列为薄膜晶体管-光电二极管二维传感器矩阵，所述薄膜晶体管-光电二极管二维传感器矩阵包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的PIN型光电二极管；
所述PIN型光电二极管包括N型半导体、P型半导体和夹设在N型半导体与P型半导体之间的本征层；
所述PIN型光电二极管包括第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管，所述第一光电二极管的本征层用于感测红光，所述第二光电二极管的本征层用于感测绿光，所述第三光电二极管的本征层用于感测蓝光；
所述第一光电二极管的本征层由硅锗氧化物材料制成，所述硅锗氧化物的硅元素、锗元素和氧元素的质量比为(0.1～0.3)：1：(0.1～0.3)；
所述第二光电二极管的本征层由硅锗氧化物材料制成，所述硅锗氧化物的硅元素、锗元素和氧元素的质量比为1：(0.5～0.7)：(0.3～0.5)；
所述第三光电二极管的本征层由硅锗氧化物材料制成，所述硅锗氧化物的硅元素、锗元素和氧元素的质量比为1：(0.1～0.2)：(0.5～0.8)。
2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一光电二极管上设有第一色阻层，所述第二光电二极管上设有第二色阻层，所述第三光电二极管上设有第三色阻层。
3.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1或2任意一项所述的微发光二极管显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
