[发明专利]晶圆级封装方法有效

专利信息
申请号: 201811604437.0 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111370328B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 秦晓珊 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/683
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 高静;李丽
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 晶圆级 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括:

提供集成有第一芯片的器件晶圆,所述器件晶圆包括集成有所述第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面;

提供承载基板,在所述承载基板上临时键合待集成的第二芯片,所述第二芯片具有背向所述承载基板的待键合面,相邻所述第二芯片与所述承载基板之间围成塑封区;

进行选择性喷涂处理,向所述塑封区喷洒塑封料,且对所述塑封料进行固化处理,形成位于所述塑封区的塑封层,所述塑封层覆盖所述承载基板和所述第二芯片的侧壁;选择性喷涂处理的步骤包括:获取所述承载基板上的塑封区的位置信息;基于获取的所述位置信息,进行所述选择性喷涂处理;塑封区具有相对的第一边界和第二边界,在所述第一边界且距离所述第一边界第一距离时,开始喷洒塑封料,在距离所述第二边界第二距离且未超过所述第二边界时,结束向塑封区喷洒塑封料;

所述选择性喷涂处理的方法包括:提供可移动的喷头;所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次,以形成所述塑封层;

形成所述塑封层后,使所述键合面和所述第一正面相对设置,采用低温熔融键合工艺实现所述器件晶圆和第二芯片的键合。

2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述选择性喷涂处理的方法还包括:

采用所述喷头在所述承载基板上方移动,当所述喷头移动经过所述塑封区上方时,所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向,所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向,所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述的封装方法,其特征在于,所述第二芯片在所述承载基板上呈沿X方向和Y方向的阵列式分布,所述阵列式分布的第二芯片与承载基板之间围成若干行塑封区和若干列塑封区;所述喷头的移动路径具有的方向包括:+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述喷头的移动路径具有的方向还包括:与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,获取所述塑封区的位置信息的方法包括:基于预设位置信息将所述第二芯片置于所述承载基板上后,将所述预设位置信息作为所述塑封区的位置信息;或者,在将所述第二芯片置于承载基板上后,对承载基板表面进行光照射,采集经承载基板表面反射的光信息,获取塑封区的位置信息。

7.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,基于获取的所述位置信息,进行所述选择性喷涂处理的方法包括:所述喷头在所述承载基板上方移动的同时,即时获取所述喷头在承载基板上的实时位置;基于该实时位置和获取的位置信息,控制所述喷头在承载基板上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。

8.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,在所述选择性喷涂处理的步骤中,所述喷头与所述承载基板之间的垂直距离为5mm~30mm,所述喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s,所述喷头喷洒塑封料的流量为1ml/s至10ml/s。

9.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述选择性喷涂处理的方法包括:

提供喷头和可移动载台;将所述承载基板置于所述可移动载台上,使所述承载基板在喷头下方移动,当所述塑封区移动至所述喷头下方时,所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

10.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在所述选择性喷涂处理结束后,进行所述固化处理。

11.如权利要求10所述的封装方法,其特征在于,在进行所述固化处理之前,还包括,在进行所述选择性喷涂处理过程中,对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理,且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。

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