[发明专利]可兼容多种环境老化试验的方法及系统

说明书

本发明涉及一种可兼容多种环境老化试验的方法及系统，其包括试验环境装置以及试验测试电路，利用所述试验环境装置能提供待测功率器件在环境老化试验中所需的试验环境，利用试验测试电路能提供待测功率器件在环境老化试验中所需的电学条件，以能对待测功率器件进行所需的反偏试验或栅偏试验；所述试验环境装置能提供的试验环境包括低温环境、高温环境以及高温高湿环境；通过试验环境装置提供的试验环境和/或试验测试电路加载的电学条件配合，能对待测功率器件进行所需的环境老化试验，本发明利用同一种设备能同时实现多种环境老化试验的测试，提高了测试的综合利用率，降低安装空间和采购成本及后续运维成本。

技术领域

本发明涉及一种方法及系统，尤其是一种可兼容多种环境老化试验的方法及系统，属于功率器件测试的技术领域。

背景技术

HTRB(High Temperature Reverse Bias，高温反偏试验)，试验将半导体器件放置在特定温度的高温环境中，并让半导体器件承受特定的反向偏压，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。

H₃TRB(High Humidity High Temperature Reverse Bias，高温高湿反偏试验)：试验将半导体器件放置在特定温度和湿度的高温高湿环境中，并让半导体器件承受特定的反向偏压，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。注：有也有文献将此试验称之为THB(Temperature Humidity Bias)。

HTGB(High Temperature Gate Bias，高温栅偏试验)，试验将半导体器件放置在特定温度的高温环境中，并让半导体器件的栅极承受特定的偏压，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。注：也有文献将此试验称之为HTGS(High Temperature Gate Stress)

HTS(High Temperature Storage，高温存储试验)，试验将半导体器件放置在特定温度的高温环境中，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。

LTS(Low Temperature Storage，低温存储试验)，试验将半导体器件放置在特定温度的低温环境中，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。

THS(Temperature Humidity Storage，高温高湿存储试验)，试验将半导体器件放置在特定温度和湿度的高温高湿环境中，通过测试半导体器件在该工况下的寿命及特性变化来评估被测器件的可靠性。

HTRB类试验与H₃TRB类试验的主要差别在于环境条件，HTRB是将样品放置在高温环境提供装置(如高温环境试验箱或恒温加热台等)内部或表面，H₃TRB则是将样品放置在高温高湿环境提供装置(如高温高湿环境试验箱)内部。试验时，需要将被测试器件放置到环境试验提供装置内部(或表面)，环境试验装置可为被测器件提供高温环境或高温高湿环境。其它电路部分的放置位置不作限制(如可位于高温环境提供装置的内部、外部、表面或非表面)。另外，HTRB及H₃TRB测试衍生出的一些非标准试验，例如高压H₃TRB试验、非标HTRB类试验、非标H₃TRB类试验等。但这些非标准试验的电路与标准试验相似，在此不作区分。对HTGB试验，二极管类器件由于没有栅极，故不需要做HTGB试验。试验时，需要将被测试器件放置到高温环境提供装置(如高温环境试验箱或恒温加热台等)内部或表面，高温环境提供装置可为被测器件提供高温环境。其它电路部分的放置位置不作限制(如可位于高温环境提供装置的内部、外部、表面或非表面)。另外，HTGB测试衍生出的一些非标准试验。但这些非标准试验的电路与标准试验相似，本专利不作区分。

HTS、LTS和HTS只需要将被测器件放置在特定环境条件下存放特定时长，不需要在被测器件上施加电学条件。