[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法

说明书

本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；去除背面BSG层，并对硅片进行氧化形成氧化层；在硅片的氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层表面沉积掩膜层；将硅片浸入HF溶液中去除硅片正面的掩膜层绕镀；将硅片浸入碱溶液中去除硅片正面的多晶硅层绕镀；去除掩膜层和正面BSG层。通过在硅片上进行硼扩散形成BSG层，将背面的BSG层去除，对硅片进行氧化，与后续沉积的多晶硅层形成特殊结构，在多晶硅层表面设置掩膜层与正面BSG层作为保护层，在HF酸溶液中去除掩膜层绕镀，在碱溶液中去除多晶硅层绕镀，最后去除掩膜层和正面BSG层，减少了遮光面积，提高了电池效率，解决了外观不良问题，提高了电池性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法。

背景技术

由于采用太阳能电池进行发电，对于场地的要求较低，产生的污染较少，是一种新型能源，由于其技术的不断发展使得发电成本获得了较大幅度的下降，从而获得了广泛的应用。

高效、高可靠的太阳能电池是降低发电成本的因素之一。

在使用LPCVD制作一层薄膜的时候，由于片子受热膨胀，使得硅片与硅片之间存在间隙，原本不需要镀膜的面被镀上一层薄膜，影响了镀膜效果以及电池效率。

在当前使用LPVCD制作薄膜的过程中，由于目前使用的石英舟齿间距较大，硅片在工艺过程中因受热不能够很紧凑的贴在一起，导致背面被镀上一层多余的薄膜，背面会产生不利于电池效率提升的绕镀，而正常的电池工艺流程不能够完全去除这些绕镀，无论是从电性能的提升，或是外观来说，对电池来说都是不利的。

发明内容

本发明的目的是提供了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，将硅片边缘的绕镀完全去除，减少遮挡，提升电池的效率以及改善外观。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：

步骤1，对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；

步骤2，去除所述背面BSG层，并对所述硅片进行氧化形成氧化层；

步骤3，在所述硅片的氧化层上沉积多晶硅层；

步骤4，在所述多晶硅层表面沉积掩膜层；

步骤5，将所述硅片浸入HF溶液中去除所述硅片正面的掩膜层绕镀；

步骤6，将所述硅片浸入碱溶液中去除所述硅片正面的多晶硅层绕镀；

步骤7，去除所述掩膜层和所述正面BSG层。

其中，所述步骤3包括：

采用LPVCD在所述硅片的氧化层上沉积所述多晶硅层。

其中，所述多晶硅层的厚度为50nm～100nm。

其中，所述步骤5包括：

将所述硅片浸入质量分数为3％～5％的HF溶液中10s～15s去除所述硅片正面的所述掩膜层绕镀。

其中，所述步骤6包括：

将所述硅片置于质量比为1％～2％的KOH溶液或质量比为5％～10％的NH₄OH中去除所述硅片正面的所述多晶硅层绕镀。

其中，所述步骤7包括：

将所述硅片置于质量分数为15％～20％的HF溶液中去除所述掩膜层和所述正面BSG层。

其中，所述掩膜层为氮氧化硅掩膜层、二氧化硅掩膜层或氮化硅掩膜层。

其中，所述掩膜层的厚度为120nm～180nm。