[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法在审
| 申请号： | 201811603015.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109698254A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 朱佳佳;郑沛霆;杨洁;孙海杰;王钊;郭瑶;於玲琳;朱思敏 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 硅片 掩膜层 多晶硅层 多晶硅层表面 浸入 硅片正面 多晶硅 碱溶液 硼扩散 氧化层 沉积 背面 沉积掩膜层 不良问题 电池效率 电池性能 保护层 酸溶液 遮光 | ||
1.一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，包括：
步骤1，对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；
步骤2，去除所述背面BSG层，并对所述硅片进行氧化形成氧化层；
步骤3，在所述硅片的氧化层上沉积多晶硅层；
步骤4，在所述多晶硅层表面沉积掩膜层；
步骤5，将所述硅片浸入HF溶液中去除所述硅片正面的掩膜层绕镀；
步骤6，将所述硅片浸入碱溶液中去除所述硅片正面的多晶硅层绕镀；
步骤7，去除所述掩膜层和所述正面BSG层。
2.如权利要求1所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述步骤3包括：
采用LPVCD在所述硅片的氧化层上沉积所述多晶硅层。
3.如权利要求2所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50nm～100nm。
4.如权利要求1-3任意一项所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述步骤5包括：
将所述硅片浸入质量分数为3％～5％的HF溶液中10s～15s去除所述硅片正面的所述掩膜层绕镀。
5.如权利要求4所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述步骤6包括：
将所述硅片置于质量比为1％～2％的KOH溶液或质量比为5％～10％的NH4OH中去除所述硅片正面的所述多晶硅层绕镀。
6.如权利要求5所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述步骤7包括：
将所述硅片置于质量分数为15％～20％的HF溶液中去除所述掩膜层和所述正面BSG层。
7.如权利要求6所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮氧化硅掩膜层、二氧化硅掩膜层或氮化硅掩膜层。
8.如权利要求7所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为120nm～180nm。
9.如权利要求8所述去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在所述步骤7之后，还包括：
将所述硅片置于质量比为0.5％～1％的HF溶液与质量比为0.5％～1％的HCl溶液的混合溶液中浸泡清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
