[发明专利]半导体装置及其制作方法

说明书

本公开提供一种半导体装置及其制作方法。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且与所述半导体芯片相间隔。该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。

技术领域

本公开主张2018/10/02申请的美国正式申请案第16/149,888号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种半导体装置及其制作方法，特别涉及一种具有多个半导体芯片的待切割的半导体晶圆及其制作方法。

背景技术

半导体装置对于许多现代的设备十分重要。随着电子技术的进步，半导体装置尺寸逐渐变小，但提供日益强大的功能并包括更多的集成电路。因为半导体装置的微型化，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)广泛用于制造上。

WLCSP是一薄型晶片封装，形成过程无需基材或封装材保护，因此于搬运与组装程序时，易使芯片崩坏或破裂，进而产生可靠度的问题。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开一方面提供一种半导体装置。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且与所述半导体芯片相间隔。该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。

在一些实施例中，该半导体芯片的一侧壁至该第一保护坝的一外表面的距离小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。

在一些实施例中，该第一保护坝的厚度等于4微米。

在一些实施例中，该半导体芯片的该侧壁至该第一保护坝的该外表面的距离不小于1微米。

在一些实施例中，所述多个第一保护坝分别围绕所述多个半导体芯片。

在一些实施例中，所述多个第一保护坝位于所述半导体芯片的弯角处，且其中各个第一保护坝包括一竖直区段、一水平区段、以及一交叉区段；该竖直区段设于该竖直切割道，该水平区段设于该水平切割道，以及该交叉区段设于该竖直区段与该水平区段的一交叉点。

在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段部分地叠设于该半导体芯片。

在一些实施例中，该竖直区段、该水平区段、与该交叉区段是一体成型。

在一些实施例中，该半导体装置还包括多个第二保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且介于相邻的两个竖直区段与相邻的两个水平区段。

在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该第二保护坝至少部分地叠设于该半导体芯片。

在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段并未叠加于该半导体芯片。

在一些实施例中，该半导体芯片的一侧壁与该第二保护坝的一外表面的距离实质上小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。

在一些实施例中，该半导体芯片的该侧壁与该第二保护坝的该外表面的距离实质上不小于1微米。

在一些实施例中，所述第二保护坝的高度不小于所述半导体芯片的高度。

在一些实施例中，所述第一保护坝的高度与所述第二保护坝的高度不同。

在一些实施例中，所述第二保护坝的厚度实质上等于4微米。