[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一半导体晶圆，具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区；

多个半导体芯片，分别装设于所述功能区上；以及

多个第一保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道上，且与所述半导体芯片相间隔；

其中该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度，

其中所述第一保护坝位于所述半导体芯片的弯角处，且其中各该第一保护坝包括：

一竖直区段，设于该竖直切割道；

一水平区段，设于该水平切割道；以及

一交叉区段，设于该竖直区段与该水平区段的一交叉点。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体芯片的一侧壁至该第一保护坝的一外表面的距离小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该半导体芯片的该侧壁至该第一保护坝的该外表面的距离不小于1微米。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一保护坝的厚度等于4微米。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段部分地叠设于该半导体芯片。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直区段、该水平区段、与该交叉区段是一体成型。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个第二保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且介于相邻的两个竖直区段与相邻的两个水平区段。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中从该半导体晶圆的侧视图观看，该第二保护坝至少部分地叠设于该半导体芯片。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段并未叠加于该半导体芯片。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中该半导体芯片的一侧壁与该第二保护坝的一外表面的距离小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该半导体芯片的该侧壁与该第二保护坝的该外表面的距离不小于1微米。

12.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二保护坝的高度不小于所述半导体芯片的高度。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一保护坝的高度与所述第二保护坝的高度不同。

14.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二保护坝的厚度等于4微米。

15.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一保护坝与所述第二保护坝是一体成型。

16.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一保护坝与所述第二保护坝的材料相同。

17.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体基材，其中该半导体基材包括多个主动区域与多个非主动区域；

提供一半导体结构于该半导体基材的一上表面；

形成多个开口于非主动区域内，其中所述开口与所述主动区域相间隔，而且，所述开口位于所述主动区域的弯角处；以及

填充一保护层于所述开口内。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中填充该保护层于所述开口内的步骤包括：

设置该保护层于该半导体结构的该上表面内与所述开口内；以及

局部去除该保护层以显露该上表面。