[发明专利]显示阵列在审
申请号: | 201811600357.8 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN110504280A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 吴明宪;赵嘉信;方彦翔 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体堆叠 绝缘层 电极垫 发光区域 驱动背板 开口 绝缘层配置 显示阵列 电连接 图案化 隔开 配置 驱动 | ||
本发明公开一种显示阵列,包括一半导体堆叠层、一绝缘层、多个电极垫以及一驱动背板。半导体堆叠层具有多个发光区域。绝缘层配置于半导体堆叠层的一外表面并与半导体堆叠层接触。绝缘层具有多个开口。电极垫配置于绝缘层。驱动背板配置于半导体堆叠层,其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及驱动背板电连接以驱动发光区域,电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开,且在半导体堆叠层中相邻的发光区域间未经图案化。
技术领域
本发明涉及一种半导体结构,且特别是涉及一种显示阵列。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,在目前也已被应用于平板及小型尺寸的显示器。近年来,微型发光二极管已朝多色彩及高亮度发展,因此,在未来的科技应用上,将会有更多的应用领域及层面,甚至能取代目前一般常见的发光二极管。
然而在目前的技术中,缩小管芯尺寸将面临两个主要的困难点。其中一者为在发光的效率上,由于微型发光二极管的尺寸为微米级,故相较于一般尺寸的发光二极管而言,管芯边缘所带来的发光效率衰退将占整体发光效率的大半比例以上。此外,其中另一者为,在上述微型发光二极管阵列的制作工艺中,除了需事先对管芯切割或图案化以定义出不同的发光平台之外,还需进行共电极、平坦化及巨量转移等制作工艺,使得制作工艺不但复杂且成本居高不下。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示阵列,可增加发光效率并降低制作工艺难度。
本发明提供一种显示阵列,包括一半导体堆叠层、一绝缘层、多个电极垫以及一驱动背板。半导体堆叠层具有多个发光区域。绝缘层配置于半导体堆叠层的一外表面并与半导体堆叠层接触。绝缘层具有多个开口。电极垫配置于绝缘层。驱动背板配置于半导体堆叠层,其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及驱动背板电连接以驱动发光区域,电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开,且在半导体堆叠层中相邻的发光区域间未经图案化。
基于上述,在本发明的显示阵列中,绝缘层具有多个开口,以使电极垫位于绝缘层的开口中被绝缘层隔开,进而使电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层电连接以在半导体堆叠层形成彼此电性隔离的多个发光区域。因此,相较于传统的作法,可简化制作工艺程序及制作难度,并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1G依序为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图;
图2为图1G的显示阵列的俯视示意图;
图3为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图4为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图5为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图6为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图7A至图7F依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图;
图8为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图9为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图10为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
图11A至图11C依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图;
图12为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的