[发明专利]显示阵列在审
| 申请号： | 201811600357.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110504280A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴明宪;赵嘉信;方彦翔 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体堆叠 绝缘层 电极垫 发光区域 驱动背板 开口 绝缘层配置 显示阵列 电连接 图案化 隔开 配置 驱动 | ||
1.一种显示阵列，其特征在于，包括：
半导体堆叠层，具有多个发光区域；
绝缘层，配置于该半导体堆叠层的外表面并与该半导体堆叠层接触，该绝缘层具有多个开口；
多个电极垫，配置于该绝缘层；以及
驱动背板，配置于该半导体堆叠层，其中该些电极垫分别经过该绝缘层的该些开口与部分的该半导体堆叠层及该驱动背板电连接以驱动该些发光区域，该些电极垫位于该绝缘层的该些开口中且被该绝缘层隔开，且在该半导体堆叠层中相邻的该些发光区域间未经图案化。
2.如权利要求1所述的显示阵列，其中该些电极垫完全地接触该绝缘层。
3.如权利要求1所述的显示阵列，还包括：
电极层，配置于该半导体堆叠层；以及
吸光层，配置于该电极层，该电极层位于该吸光层与该半导体堆叠层之间，其中该吸光层具有多个开口，且该些发光区域位于该吸光层的该些开口与该些电极垫之间。
4.如权利要求3所述的显示阵列，其中该电极层具有多个开口，且该电极层的该些开口位于该吸光层的该些开口与该些发光区域之间。
5.如权利要求3所述的显示阵列，其中该些发光区域的发光面积大于或等于该吸光层的该些开口的占有面积。
6.如权利要求3所述的显示阵列，其中该吸光层的该些开口的占有面积大于该绝缘层的该些开口的占有面积。
7.如权利要求3所述的显示阵列，其中该吸光层在该半导体堆叠层上的覆盖面积小于该绝缘层在该半导体堆叠层上的覆盖面积。
8.如权利要求1所述的显示阵列，其中该绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，该第一绝缘层位于该半导体堆叠层与该第二绝缘层之间。
9.如权利要求1所述的显示阵列，其中该半导体堆叠层还具有至少一电性隔离部，该至少一电性隔离部的阻抗值大于该些发光区域的阻抗值的100倍。
10.如权利要求9所述的显示阵列，其中该至少一电性隔离部的分布深度小于或等于该半导体堆叠层的厚度。
11.如权利要求1所述的显示阵列，其中该绝缘层位于该半导体堆叠层与该驱动背板之间。
12.如权利要求1所述的显示阵列，其中该半导体堆叠层位于该绝缘层与该驱动背板之间。
13.如权利要求1所述的显示阵列，还包括：
粘着层，配置于该些电极垫，该粘着层位于该些电极垫与该驱动背板之间。
14.如权利要求1所述的显示阵列，还包括：
多个色彩转换件，配置于该半导体堆叠层上。
15.如权利要求1所述的显示阵列，其中相邻的两该些发光区域的周期小于或等于20微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
