[发明专利]堆叠晶圆的制造方法及制造系统

说明书

本公开提供一种堆叠晶圆的制造方法及制造系统。该制造方法包括：接收一第一晶圆，该第一晶圆中形成有半导体元件；接收一第二晶圆，该第二晶圆中形成有半导体元件；将该第一晶圆附着到该第二晶圆上；以及使用该第一晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二晶圆形成一组堆叠晶圆。

技术领域

本公开主张2018年11月9日申请的美国正式申请案第16/186,100号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开关于一种堆叠晶圆的制造方法及制造系统且特别涉及一种异质晶圆的整合方法。

背景技术

由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自于重复减少最小特征尺寸，这允许将更多的组件集成到一给定区域中。随着对更小电子元件的需求增长，对半导体晶粒的更小和更有创意的封装技术的需求已经出现。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开提供一种堆叠晶圆的制造方法。该制造方法包括：接收一第一晶圆，该第一晶圆中形成有半导体元件；接收一第二晶圆，该第二晶圆中形成有半导体元件；将该第一晶圆附着到该第二晶圆上；以及

使用该第一晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二晶圆形成一组堆叠晶圆。

在一些实施例中，该制造方法还包括：基于一第一技术制造该第一晶圆；以及基于与该第一技术不同的一第二技术制造该第二晶圆。

在一些实施例中，该制造方法还包括：将该第一晶圆面对面地附着到该第二晶圆。

在一些实施例中，该制造方法还包括：使用一金属凸块将该第一晶圆面对面地附着到该第二晶圆。

在一些实施例中，该制造方法还包括：单粒化该组堆叠晶圆，其中该组堆叠晶圆包括该第一晶圆和该经薄膜化第二晶圆。

在一些实施例中，在该组堆叠晶圆的该单粒化之前，该第一晶圆和该第二晶圆都保持彼此附着。

在一些实施例中，该制造方法还包括：在该组堆叠晶圆的该形成之后，在该组堆叠晶圆上执行一硅通孔(through-silicon via，TSV)工艺。

本公开还提供一种堆叠晶圆的制造方法。该制造方法包括：接收一第一规模的一第一组堆叠晶圆；接收一第二规模的一第二组堆叠晶圆；通过将该第一组堆叠晶圆的一经薄膜化晶圆附着到该第二组堆叠晶圆的一经薄膜化晶圆上，将该第一组堆叠晶圆附着到该第二组堆叠晶圆上；以及使用该第一组堆叠晶圆的一非经薄膜化晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二组堆叠晶圆的一非经薄膜化晶圆来形成一第三规模的一第三组堆叠晶圆。

在一些实施例中，该第一规模与该第二规模相同。

在一些实施例中，该第一规模大于该第二规模。

在一些实施例中，该第二规模大于该第一规模。

在一些实施例中，该第一组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆和该第二组堆叠晶圆中的该非经薄膜化晶圆基于一第一技术制造出，并且该第一组堆叠晶圆的该经薄膜化晶圆以及该第二组堆叠晶圆的该经薄膜化晶圆基于一第二技术制造出，该第二技术不同于该第一技术。

在一些实施例中，该制造方法还包括：单粒化该第三组堆叠晶圆。

在一些实施例中，在该第三组堆叠晶圆的该单粒化以前，该第一组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆及该经薄膜化晶圆以及该第二组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆及该经薄膜化晶圆保持彼此附着。