[发明专利]堆叠晶圆的制造方法及制造系统

权利要求书

1.一种堆叠晶圆的制造方法，该制造方法包括：

接收一第一晶圆，该第一晶圆中形成有半导体元件；

接收一第二晶圆，该第二晶圆中形成有半导体元件；

将该第一晶圆附着到该第二晶圆上；以及

使用该第一晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二晶圆形成一组堆叠晶圆以及一经薄膜化第二晶圆。

2.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

基于一第一技术制造该第一晶圆；以及

基于与该第一技术不同的一第二技术制造该第二晶圆。

3.如权利要求2所述的制造方法，还包括：

将该第一晶圆面对面地附着到该第二晶圆。

4.如权利要求3所述的制造方法，还包括：

使用金属凸块将该第一晶圆面对面地附着到该第二晶圆。

5.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

单粒化该组堆叠晶圆，其中该组堆叠晶圆包括该第一晶圆和该经薄膜化第二晶圆。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中在该组堆叠晶圆的该单粒化之前，该第一晶圆和该第二晶圆都保持彼此附着。

7.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

在该组堆叠晶圆的该形成之后，在该组堆叠晶圆上执行一硅通孔工艺。

8.一种堆叠晶圆的制造方法，该制造方法包括：

接收一第一规模的一第一组堆叠晶圆；

接收一第二规模的一第二组堆叠晶圆；

通过将该第一组堆叠晶圆的一经薄膜化晶圆附着到该第二组堆叠晶圆的一经薄膜化晶圆上，将该第一组堆叠晶圆附着到该第二组堆叠晶圆上；以及

使用该第一组堆叠晶圆的一非经薄膜化晶圆作为支撑件，通过薄膜化该第二组堆叠晶圆的一非经薄膜化晶圆来形成一第三规模的一第三组堆叠晶圆。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一规模与该第二规模相同。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一规模与该第二规模不同。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中该第一规模大于该第二规模。

12.如权利要求10所述的制造方法，其中该第二规模大于该第一规模。

13.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆和该第二组堆叠晶圆中的该非经薄膜化晶圆基于一第一技术制造出，并且该第一组堆叠晶圆的该经薄膜化晶圆以及该第二组堆叠晶圆的该经薄膜化晶圆基于一第二技术制造出，该第二技术不同于该第一技术。

14.如权利要求8所述的制造方法，还包括：

单粒化该第三组堆叠晶圆。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中在该第三组堆叠晶圆的该单粒化以前，该第一组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆及该经薄膜化晶圆以及该第二组堆叠晶圆的该非经薄膜化晶圆及该经薄膜化晶圆保持彼此附着。

16.如权利要求8所述的制造方法，还包括：

在形成该第三组堆叠晶圆之后，在该第三组堆叠晶圆上执行一硅通孔工艺。