[发明专利]低频电磁干扰屏蔽

说明书

本公开涉及低频电磁干扰屏蔽。本公开涉及一种半导体封装装置及形成其的方法。所述半导体封装装置包括衬底、安置在所述衬底上的绝缘层，及屏蔽层。所述屏蔽层包含粘合剂层及基础层。所述粘合剂层安置在所述基础层与所述绝缘层之间。所述粘合剂层及所述基础层包含由至少树脂组成的填料。所述屏蔽层通过划格法的至少3B剥离试验等级，且所述屏蔽层的屏蔽效能至少为或等于30dB。

技术领域

本公开涉及屏蔽半导体封装免受电磁干扰影响。具体地说，本公开涉及一种具有用于阻挡低频电磁干扰的屏蔽层的半导体封装。

背景技术

现有半导体封装通常包含用以屏蔽半导体封装内的集成电路免受电磁干扰影响的屏蔽层。屏蔽层的厚度取决于屏蔽层是意图阻挡高频电磁干扰信号还是低频电磁干扰信号。高频是指0.5GHz到6GHz，且低频是指10MHz到100MHz。举例来说，为了实现屏蔽的屏蔽效果，归因于低频信号的隧道效应，用于阻挡具有相对较低频率的电磁干扰的屏蔽层的厚度比用于阻挡具有相对较高频率的电磁干扰的屏蔽层的厚度更厚。

为了阻挡高频电磁干扰，屏蔽层通常通过溅射工艺形成于模制化合物上。然而，为了阻挡低频电磁干扰，需要相对较厚的屏蔽层，其可能增加制造成本(归因于例如，相对较大的制造时间)。

目前，在模制化合物上形成用于阻挡低频电磁干扰的屏蔽层的方法是喷涂，其与溅射工艺相比需要相对较短的时间。

此外，为了阻挡10MHz的低频电磁干扰，当屏蔽层的厚度可达到约40μm时，满足屏蔽要求(屏蔽效能≥30dB)的材料并不具有良好粘合强度，其意味着屏蔽层可能未能通过划格法的3B剥离试验等级(美国测试与材料协会标准(American Society for Testing andMaterials standard))。原因在于适用于屏蔽层的材料通常具有低体积电阻率(Ω·cm)。举例来说，用于溅涂的材料是纯金属，其具有低体积电阻率。然而，由于此材料具有极少树脂或完全无树脂，使得屏蔽层与模制化合物之间的黏附力降低，此材料在烘烤及烧结的连续工艺期间将产生一定程度的损耗，且导致具有低体积电阻率的材料及将喷涂的物件(例如模制化合物)的表面的黏附力降低。因此，即使在以上文提及的方式形成的半导体封装通过可靠性试验(例如温度循环实验)之后，半导体封装的屏蔽层将仍未能通过至少划格法的3B剥离试验等级。

发明内容

本公开提供一种屏蔽层，其为双层结构。屏蔽层包括粘合剂层及基础层。粘合剂层安置在基础层与模制化合物之间。粘合剂层具有损耗较少的导电材料且充当缓冲层。粘合剂层提供基础层与模制化合物之间的较好黏附力，以便改进由后续加热或损耗差异引起的屏蔽层与模制化合物之间的粘合强度。

此外，根据本公开的一些实施例，与用于形成用于屏蔽电磁干扰的屏蔽层的溅射工艺相比较，本公开使用喷涂来形成用于屏蔽低频电磁干扰的较厚屏蔽层，其要求较厚屏蔽层。通过喷涂的屏蔽层与模制化合物之间的粘合强度明显地比通过溅射工艺的更好。

附图说明

图1展示根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图2说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的屏蔽层的结构的示意图。

图3A说明经提供以形成根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的基础层的结构的示意图。

图3B说明经提供以形成根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的粘合剂层的结构的示意图。

图4展示根据本公开的另一方面的半导体封装装置的横截面图。

贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本公开将会更清楚。

图5展示划格法的等级。

具体实施方式