[发明专利]低频电磁干扰屏蔽在审
| 申请号： | 201811598903.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111128967A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王品娟 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频 电磁 干扰 屏蔽 | ||
1.一种半导体封装装置，其包括：
衬底；
绝缘层，其安置在所述衬底上；及
屏蔽层，其安置在所述绝缘层上，其中所述屏蔽层包含安置在所述绝缘层上的第一导电层及安置在所述第一导电层上的第二导电层，所述第一导电层及所述第二导电层包含由至少树脂组成的填料，且
其中所述屏蔽层通过划格法的至少3B剥离试验等级，且所述屏蔽层的屏蔽效能至少为或等于30dB。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层内的所述树脂的含量大于所述第二导电层内的所述树脂的含量。
3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层内的所述树脂的所述含量是约3％到7％。
4.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中所述第二导电层内的所述树脂的所述含量是约0.1％到0.3％。
5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层内的所述填料的大小大于所述第二导电层内的所述填料的大小。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的体积电阻率大于所述第二导电层的体积电阻率。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的所述体积电阻率是约2×10-5～5×10-5Ω·cm。
8.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第二导电层的所述体积电阻率是约4.8×10-6Ω·cm。
9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述填料进一步由至少金属颗粒组成，所述第一导电层中的所述金属颗粒的大小大于所述第二导电层中的所述金属颗粒的大小。
10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的厚度小于所述第二导电层的厚度。
11.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述屏蔽层的所述屏蔽效能在10MHz频率下至少为或等于30dB。
12.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述屏蔽层通过所述划格法的5B剥离试验等级。
13.一种半导体封装装置，其包括：
衬底；
绝缘层，其安置在所述衬底上；及
第一导电层，其安置在所述绝缘层上，其中所述第一导电层包含第一填料；及
第二导电层，安置在所述第一导电层上，其中所述第二导电层包含第二填料，
其中所述第一填料的大小大于所述第二填料的大小。
14.根据权利要求13所述的半导体封装装置，其中所述第一填料包含至少第一树脂，且所述第二填料包含至少第二树脂。
15.根据权利要求14所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层内的所述第一树脂的含量大于所述第二导电层内的所述第二树脂的含量。
16.根据权利要求13所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的体积电阻率大于所述第二导电层的体积电阻率。
17.根据权利要求13所述的半导体封装装置，其中所述填料进一步由至少金属颗粒组成，所述第一导电层中的所述金属颗粒的大小大于所述第二导电层中的所述金属颗粒的大小。
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