[发明专利]一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法

说明书

本发明提出一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管；对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态，再分别对所有芯片接通测试电流；测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻，其用R_i1‑R_iN表示，相应地给多芯片器件施加第i功率Qi；重复前一个步骤步骤N次，i为从1取到N的整数；根据测得的所有结壳热阻R_iN和所述的i个施加功率Q₁‑Q_N，确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温度变化ΔT₁‑ΔT_N；根据所确定的所有的温度变化ΔT₁‑ΔT_N和所有的施加功率Q₁～Q_N，确定多芯片器件的结壳热阻R_N；对芯片接通测试电流。本发明可以对对于集成电路产品，特别是针对多芯片封装的集成电路产品，提供热阻测试方法。

技术领域

本发明属于半导体器件封装与测试技术领域，特别针对多芯片混合功率运放结壳热阻测试领域，特别涉及一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法。

背景技术

半导体集成电路的热阻测试采用在芯片上设计专门的热阻测试模块来完成，其原理是在芯片上设计包含加热单元模块和和温度敏感测量单元模块，在加热单元模块上施加额定的功率，使整个芯片发热产生热源，然后对温度敏感单元电压与温度的关系进行测量，最后利用公式计算出结壳热阻，该方法需要制作专门的热阻测试单元。但此种方法使用热阻测试芯片进行热阻测试时，需要单独进行设计、流片和封装，这严重影响了测试的效率，并且不能对集成电路热阻特性进行百分之百的筛选。

目前，针对二极管和三极管有较好的解决方法和成熟设备，能够准确测试二极管和三极管的结壳热阻，但是，对于集成电路产品，特别是针对多芯片封装的集成电路产品，没有相关的热阻测试设备。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术解决方案是：

提出一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管；对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态，再分别对所有芯片接通测试电流；测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻，其用R_i1-R_iN表示，相应地给多芯片器件施加第i功率Qi；重复前一个步骤步骤N次，i为从1取到N的整数；根据测得的所有结壳热阻R_iN和所述的i个施加功率Q₁-Q_N，确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温度变化ΔT₁-ΔT_N；根据所确定的所有的温度变化ΔT₁-ΔT_N和所有的施加功率Q₁～Q_N，确定多芯片器件的结壳热阻R_N；对芯片接通测试电流。

其中，多芯片器件的结壳热阻R_N由公式(1)确定

R_N＝(ΔT₁+ΔT₂+···+ΔT_N)/(N(Q₁+Q₂+···+Q_N)) (1)。

其中，ΔT₁-ΔT_N根据以下矩阵确定