[发明专利]一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法

权利要求书

1.一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，

首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管；

对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态，再分别对所有芯片接通测试电流；测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻，其用R_i1-R_iN表示，相应地给多芯片器件施加第i功率Qi；

重复前一个步骤步骤N次，i为从1取到N的整数；

根据测得的所有结壳热阻R_iN和所述的i个施加功率Q₁-Q_N，确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温度变化ΔT₁-ΔT_N；

根据所确定的所有的温度变化ΔT₁-ΔT_N和所有的施加功率Q₁～Q_N，确定多芯片器件的结壳热阻R_N；

对芯片接通测试电流。

2.根据权利要求1所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，多芯片器件的结壳热阻R_N由公式(1)确定

R_N＝(ΔT₁+ΔT₂+···+ΔT_N)/(N(Q₁+Q₂+···+Q_N)) (1)。

3.根据权利要求2所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，ΔT₁-ΔT_N根据以下矩阵确定，

4.根据权利要求1所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，

对于Vin对Vss存在ESD保护的电路结构，选择Vin端与Vss端的ESD等效二极管作为功率输入和检测端口；

对于Vin对Vdd存在ESD保护的电路结构，选择Vin端与Vdd端的ESD等效二极管作为功率输入和检测端口；

对于Vdd与Vss均存在ESD结构的电路，选择Vdd与Vss串联结构作为检测端口；

对于P型衬底的半导体器件，作为输出管脚的功率管输出端与地之间有一个体二极管，选择该二极管作为加热二极管以及温敏二极管；

对于Vdd与Vout之间存在功率半导体器件的集成电路，选择Vdd与Vout之间的寄生二极管作为加热单元。

5.根据权利要求1所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，对芯片的测试电流取1mA。

6.根据权利要求5所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，测试电流的确定可通过测试芯片敏感二极管的I-V特性曲线确定，取I-V特性曲线拐点电流。

7.根据权利要求5所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法，其特征在于，测试电流为芯片额定功率除以芯片二极管导通电压确定。