[发明专利]有源层厚度的监控方法

权利要求书

1.一种有源层厚度的监控方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一承载机台(10)，在该承载机台(10)上形成大板(20)；所述大板(20)包括面板区(21)以及包围所述面板区(21)的GOA区(22)；GOA为将栅极扫描驱动电路制作在TFT阵列基板上，所述GOA区(22)包括多个薄膜晶体管(221)；该薄膜晶体管(221)包括有源层(2211)；

步骤S2、提供一监控机台(30)，该监控机台(30)监控所述GOA区(22)中的薄膜晶体管(221)的有源层(2211)的厚度，当有源层(2211)的厚度小于一预设的阈值时，该监控机台(30)报警，当有源层(2211)的厚度大于或等于一预设的阈值时，该监控机台(30)不报警。

2.如权利要求1所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述大板(20)的形状为矩形；所述大板(20)的四个角落位于GOA区(22)中；

所述步骤S2中，该监控机台(30)监控所述GOA区(22)中位于大板(20)的四个角落的薄膜晶体管(221)的有源层(2211)的厚度。

3.如权利要求2所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述面板区(21)位于大板(20)的中心区域，所述GOA区(22)位于大板(20)中包围所述中心区域的边缘区域；所述大板(20)的四个角落位于大板(20)的边缘区域中。

4.如权利要求2所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述监控机台(30)包括多个量测点(31)，将所述多个量测点(31)分别分布在大板(20)的四个角落，每个量测点(31)根据一预设的时间间隔多次量测位于该量测点(31)位置的有源层(2211)的厚度。

5.如权利要求4所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述监控机台(30)根据每个量测点(31)量测的有源层(2211)的厚度的最小值建立一个SPC图表，SPC为统计过程控制，该SPC图表中设有一预设的阈值，当一个或多个量测点(31)量测的有源层(2211)的厚度的最小值小于该预设的阈值时，所述监控机台(30)报警。

6.如权利要求1所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述面板区(21)包括呈阵列排布的多个显示面板(211)。

7.如权利要求6所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述显示面板(211)包括多个薄膜晶体管(221)；该监控机台(30)监控每个显示面板(211)中的薄膜晶体管(221)的有源层(2211)的厚度。

8.如权利要求1所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述薄膜晶体管(221)还包括设于所述有源层(2211)下的绝缘层(2212)、设于所述绝缘层(2212)下的栅极(2213)以及设于所述有源层(2211)上并分别与有源层(2211)两端接触的源极(2214)和漏极(2215)。

9.如权利要求1所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述步骤S1形成大板(20)的过程中，通过化学气相沉积以及干蚀刻制程制作薄膜晶体管(221)的有源层(2211)。

10.如权利要求1所述的有源层厚度的监控方法，其特征在于，所述有源层(2211)的材料为非晶硅。