[发明专利]Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法在审
| 申请号: | 201811591439.0 | 申请日: | 2018-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN109755715A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
| 发明(设计)人: | 王青;赵洋 | 申请(专利权)人: | 上海思彼安德智能系统有限公司 |
| 主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00;H01P1/10 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 张苗 |
| 地址: | 201801 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微波开关 全频段 壳体 气密 焊接 驱动电路板 制作 封盖板 内盖板 下盖板 馈电 绝缘子 激光 射频前端系统 射频电路板 共晶焊接 密封焊接 裸芯片 衬底 射频 钼铜 清洗 应用 | ||
本发明公开了一种Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法,该Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法包括:步骤1,将壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板进行清洗;步骤2,将射频裸芯片和钼铜衬底进行共晶焊接得到部件A;步骤3,焊接得到馈电驱动电路板;步骤4,将绝缘子和射频电路板焊接至所述壳体中得到部件B;步骤5,将馈电驱动电路板和部件A焊接至所述部件B中得到部件C;步骤6,将内盖板和下盖板固定至所述部件C的壳体上;步骤7,将激光封盖板密封焊接至所述部件C的壳体上。该Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法增加了模块的可靠性,可广泛应用于各种射频前端系统中。
技术领域
本发明涉及微波毫米波技术领域,具体地,涉及一种Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法。
背景技术
近年来,射频微波行业发展迅速,主要体现在雷达系统、手机终端、智能控制系统、通信市场等领域,使得人们对高集成度、高性能和低成本的射频前端的需求越发迫切,微波开关是射频前端的关键元件,其性能直接影响射频系统的性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法,该Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法增加了模块的可靠性,可广泛应用于各种射频前端系统中。
为了实现上述目的,本发明提供了一种Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法,该Ka全频段气密等级微波开关模块的制作方法包括:
步骤1,将壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板进行清洗;
步骤2,将射频裸芯片和钼铜衬底进行共晶焊接得到部件A;
步骤3,焊接得到馈电驱动电路板;
步骤4,将绝缘子和射频电路板焊接至所述壳体中得到部件B;
步骤5,将馈电驱动电路板和部件A焊接至所述部件B中得到部件C;
步骤6,将内盖板和下盖板固定至所述部件C的壳体上;
步骤7,将激光封盖板密封焊接至所述部件C的壳体上。
优选地,在步骤1中,将壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板进行清洗的方法包括:
步骤1-1,使用酒精对壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板进行清洗;
步骤1-2,使用氮气枪将壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板吹干;
步骤1-3,将壳体、内盖板、下盖板和激光封盖板放置在干燥箱中烘干,干燥箱的温度设置为100-120℃,烘干时间设置为15-30分钟。
优选地,在步骤2中,将射频裸芯片和钼铜衬底进行共晶焊接得到部件A的方法包括:
选择熔点为280℃、成份为Au80Sn20、厚度为0.0254mm的金锡焊片作为共晶焊的焊料,根据射频裸芯片的尺寸裁切所需焊片,焊片与射频裸芯片大小的比例为0.8:1-1.1:1;
将共晶焊台的温度设置为295~305℃,再将钼铜衬底固定在共晶焊台上,完成射频裸芯片与钼铜衬底之间的共晶焊接,焊接时间为15~30秒。
优选地,在步骤3中,焊接得到馈电驱动电路板的方法包括:
选择熔点为183℃、成分为Pb37Sn63的焊锡膏,利用丝网印刷板将焊膏印刷到电路板对应的焊盘上,将需要焊接的元器件一一放置于电路板上的对应位置上;
将加热平台的温度设置为205℃~220℃,将贴有元器件的电路板放置于加热平台上,待焊膏充分熔化后,利用镊子将焊接元器件的电路板从加热平台上取下并冷却;
将焊接元器件的电路板放置于汽相清洗机内清洗10-15分钟得到馈电驱动电路板。
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