[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
申请号: | 201811591067.1 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109817785A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 侯宇;姚述光;姜志荣;龙小凤;万垂铭;肖国伟 | 申请(专利权)人: | 广东晶科电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/54 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍;李小林 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 第一金属层 焊接金属层 树脂部 第二金属层 一端设置 反光层 下表面 制作 反光碗 上表面 良率 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:第一金属层、第二金属层、树脂部、反光层和至少一个LED芯片;其中,
所述树脂部连接于所述第一金属层与所述第二金属层之间,所述至少一个LED芯片安装于所述第一金属层的上表面,所述反光层设置于所述至少一个LED芯片的四周形成反光碗杯;
所述第一金属层的下表面设置有第一焊接金属层,所述第一焊接金属层靠近所述树脂部的一端设置有至少一个第一凹槽;
所述第二金属层的下表面设置有第二焊接金属层,所述第二焊接金属层靠近所述树脂部的一端设置有至少一个第二凹槽。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,在所述第一凹槽的第一凸部设置有至少一个第一引流槽,所述第一引流槽与所述第一凹槽相通;所述第一凹槽的第一凸部为所述第一凹槽靠近所述树脂部的凸部;
在所述第二凹槽的第一凸部设置有至少一个第二引流槽,所述第二引流槽与所述第二凹槽相通;所述第二凹槽的第一凸部为所述第二凹槽靠近所述树脂部的凸部。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽的总面积小于所述第一焊接金属层和所述第二焊接金属层总面积的20%。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,在所述反光碗杯内由下至少依次层叠有第一封装胶体层和第二封装胶体层;其中,所述第一封装胶体层的粘度位于100mPa·s~7000mPa·s内、透湿透氧率位于0cc/cm2·day/1mm~1000cc/cm2·day/1mm内;所述第一封装胶体层的粘度小于所述第二封装胶体层的粘度,且所述第一封装胶体层的透湿透氧层率小于所述第二封装胶体层的透湿透氧率。
5.如权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,在所述第二封装胶体层上设置有第三封装胶体层,所述第三封装胶体层的透湿透氧层率小于所述第二封装胶体层的透湿透氧率。
6.如权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,所述第一封装胶体层包括第一YAG荧光粉层,所述第二封装胶体层包括第二YAG荧光粉层,所述第三封装胶体层包括KFS荧光粉层和绿色荧光粉层。
7.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于,所述第一金属层的上表面设置有第一金属反光层,所述第二金属层的上表面设置有第二金属反光层。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述树脂部呈倒T形;所述第一金属层靠近所述树脂部的一端设有第一断层,所述第二金属层靠近所述树脂部的一端设置有第二断层;所述第一断层和所述第二断层分别与所述树脂部的两端啮合且紧密连接。
9.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,适用于具有第一焊接金属层和第二焊接金属层的支架,其中,所述第一焊接金属层设置于所述第一金属层的下表面,所述第二焊接金属层设置于所述第二金属层的下表面,所述制作方法包括如下步骤:
采用冲压工艺分别在所述第一焊接金属层靠近所述树脂部的一端冲压形成至少一个第一凹槽、在所述第二焊接金属层靠近所述树脂部的一端冲压形成至少一个第二凹槽;
采用模内注塑工艺在所述支架上制作反光层以形成反光碗杯;
将至少一个LED芯片固定于所述反光碗杯的底部并进行打线;
向所述反光碗杯内注入第一封装胶体并进行加热固化,以形成第一封装胶体层;
向所述反光碗杯内注入第二封装胶体并进行加热固化。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,采用冲压工艺分别在所述第一焊接金属层上冲压形成至少一个第一凹槽、在所述第二焊接金属层冲压上冲压形成至少一个第二凹槽中,还包括如下步骤:
在所述第一凹槽的第一凸部冲压形成至少一个第一引流槽,所述第一引流槽与所述第一凹槽相通;所述第一凹槽的第一凸部为所述第一凹槽靠近所述树脂部的凸部;
在所述第二凹槽的第一凸部冲压形成至少一个第二引流槽,所述第二引流槽与所述第二凹槽相通;所述第二凹槽的第一凸部为所述第二凹槽靠近所述树脂部的凸部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东晶科电子股份有限公司,未经广东晶科电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811591067.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光装置及其制造方法
- 下一篇:倒装直插LED及倒装直插平面管LED生产工艺