[发明专利]减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法有效
申请号: | 201811591031.3 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110310904B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 实井祐介;西冈贤太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05D3/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 减压 干燥 装置 处理 方法 | ||
本发明提供一种在减压干燥装置中以与期望的减压速度更接近的减压速度来进行减压处理的减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法。所述减压干燥装置通过在腔室内收容附着有处理液的基板并对腔室内进行减压,而使基板干燥。减压干燥装置具有腔室、减压排气部、对减压排气的流量进行调节的阀、对腔室内的压力进行测量的测量部及控制部。控制部的动作控制部包括:初始开度设定部,在各处理期间的起点将阀开度设为基准开度;以及反馈控制部,基于测量部所测量的测量压力值进行包含比例控制的反馈控制。反馈控制部在进行使阀开度大于基准开度的控制的第1状态下,根据目标压力值或测量压力值来变更比例控制系数。
技术领域
本发明涉及一种对附着有处理液的基板进行减压干燥的技术,尤其涉及一种减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法。
背景技术
先前,在半导体晶片(wafer)、液晶显示装置或有机电致发光(Electroluminescence)显示装置等的平板显示器(Flat Panel Display,FPD)用基板、光掩膜(photo mask)用玻璃基板、彩色滤光片(color filter)用基板、记录磁盘(disk)用基板、太阳能电池用基板、电子纸(paper)用基板等精密电子装置用基板的制造过程中,为了使涂布至基板的处理液干燥而使用减压干燥装置。所述减压干燥装置具有收容基板的腔室及将腔室内的气体予以排出的排气装置。关于先前的减压干燥装置,例如在专利文献1中有所记载。
在对涂布至基板的光致抗蚀剂(photoresist)等处理液进行干燥并形成薄膜的情况下,若进行急剧的减压,则有可能出现突沸。突沸是因涂布至基板表面的光致抗蚀剂中的溶剂成分急剧地蒸发而产生。当在减压干燥处理过程中产生突沸时,会产生在光致抗蚀剂的表面形成小的泡的脱气现象。因此,在减压干燥处理中,需要在初始阶段阶段性地进行减压,而非使腔室内急剧地减压。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2006-261379号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
为了对腔室内的压力进行阶段性的变更,需要对减压速度进行调节。在专利文献1所记载的减压干燥装置中,通过在减压处理中一面对腔室内的气体进行排气一面将惰性气体供给至腔室内而对减压速度进行调节。而且,为了恰当地调节减压速度,在惰性气体的供给源与腔室之间设有能够多阶段地变更开度的阀。
而且,作为对腔室内的减压速度进行调节的其他方法,也可以在腔室与排气装置之间设置能够多阶段地变更开度的阀来调整从腔室的排气量。此时,可阶段性地调整从腔室的排气量而无需将惰性气体供给至腔室内。为了在对惰性气体的供给量及从腔室的排气量中的任一者进行调整的情况下,也以期望的减压速度进行减压处理,需要将所述阀设定为与所述减压速度相应的开度。所述开度既可以根据包含比例控制的反馈控制来适当决定,也可以针对腔室的每种种类预先设定。
然而,在使用反馈控制对腔室内的压力进行控制的情况下,有可能在大气压附近产生振荡(hunting)现象。另一方面,在预先设定了开度的情况下,若真空度变高,则难以正确地预想涂布至基板的处理液的溶剂成分的蒸发量,所以存在无法获得期望的减压速度的情况。如此,任一方法均存在在期望的减压速度与现实的减压速度之间产生背离的情况。
本发明有鉴于所述情况而成,目的在于提供一种可在具有能够多阶段地变更开度的阀的减压干燥装置中,以与期望的减压速度更接近的减压速度来进行减压处理的技术。
[解决问题的技术手段]
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811591031.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体制造装置及半导体制造方法
- 下一篇:处理腔室及包括其的处理器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造