[发明专利]减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法有效
| 申请号: | 201811591031.3 | 申请日: | 2018-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN110310904B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 实井祐介;西冈贤太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05D3/04 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 减压 干燥 装置 处理 方法 | ||
1.一种减压干燥装置,对附着有处理液的基板进行减压干燥,所述减压干燥装置包括:
腔室,收容所述基板;
减压排气部,对所述腔室内进行减压排气;
阀,设置于所述腔室与所述减压排气部之间,通过阀开度对减压排气的流量进行调节;
测量部,对所述腔室内的压力进行测量;以及
控制部,分别与所述腔室、所述减压排气部、所述阀、所述测量部电性连接,
所述控制部具有:
基准开度决定部,基于多个处理期间的每一个的目标压力值及目标到达时间、与预先实验性地求出的基础数据来决定基准开度;以及
动作控制部,在执行减压干燥处理时对所述阀开度进行控制,
所述基础数据是在所述腔室内不存在溶媒的状态下获取的,
所述动作控制部包括:
初始开度设定部,在各处理期间的起点将所述阀开度设为所述基准开度;以及
反馈控制部,基于所述测量部所测量的测量压力值,通过包含比例控制的反馈控制对所述阀开度进行控制,
所述反馈控制部
在进行使所述阀开度大于所述基准开度的控制的第1状态下,随着所述目标压力值或所述测量压力值变小而使比例控制系数变大,
在进行使所述阀开度小于所述基准开度的控制的第2状态下,使用规定的基准比例控制系数来进行比例控制;并且
所述反馈控制部在所述第1状态下,
当所述目标压力值或所述测量压力值包含在从0Pa起至100,000Pa为止分割为至少三个压力区域中的最大的所述压力区域中时,使所述比例控制系数小于所述基准比例控制系数,
当所述目标压力值或所述测量压力值包含在最小的所述压力区域中时,使所述比例控制系数大于所述基准比例控制系数。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其中,
所述反馈控制部进行包含所述比例控制及积分控制的所述反馈控制。
3.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其中,
所述反馈控制部进行包含所述比例控制、积分控制及微分控制的所述反馈控制。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的减压干燥装置,其中,
所述控制部还具有:
目标数据获取部,获取包含各处理期间的所述目标压力值及所述目标到达时间的目标数据;以及
基础数据获取部,针对规定的多个所述阀开度中的每一个,获取表示减压排气引起的所述腔室内的压力与到达所述压力的到达时间的关系的基础数据,
所述基准开度决定部基于所述基础数据与所述目标数据的比较来决定所述基准开度。
5.根据权利要求4所述的减压干燥装置,其中,
所述基准开度决定部针对所述处理期间的每一个,
从所述基础数据中,针对每一个所述阀开度,参照从大气压起到达所述处理期间的初始压力值的到达时间即第1时间及从大气压起到达所述目标压力值的到达时间即第2时间,算出所述第2时间与所述第1时间的差分,
基于所述差分与所述目标到达时间一致或近似的所述阀开度,决定减压干燥处理执行时的所述阀开度。
6.根据权利要求5所述的减压干燥装置,其中,
所述基准开度决定部:
在存在所述差分与所述目标到达时间一致的所述阀开度的情况下,将所述差分与所述目标到达时间一致的所述阀开度决定为所述基准开度,
在不存在所述差分与所述目标到达时间一致的所述阀开度的情况下,将所述差分大于所述目标到达时间且所述差分最近似于所述目标到达时间的所述阀开度决定为所述基准开度。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的减压干燥装置,其中,
所述阀是通过改变阀体的角度来调节开度。
8.一种基板处理装置,对所述基板进行抗蚀剂液的涂布及显影,所述基板处理装置包括:
涂布部,对曝光处理前的所述基板涂布所述抗蚀剂液;
如权利要求1至7中任一项所述的减压干燥装置,对附着有所述抗蚀剂液的所述基板进行减压干燥;以及
显影部,对实施有所述曝光处理的所述基板进行显影处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





