[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201811590608.9 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109599429B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李杰威;臧丹丹;童亚超;殷川;熊先江;崔勇 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种显示面板,包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区,所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处,所述第一结构区环绕所述第二结构区设置,以将所述像素区与所述第二结构区间隔,所述像素区包括发光元件,所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极,且多个第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层;所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块,所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层,所述导电层与所述辅助电极线电连接;所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。本发明还提供一种显示面板的制造方法。所述显示面板在显示时电压降较小,且亮度均匀。
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示设备领域,具体地,涉及一种显示面板和该显示面板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板包括像素界定层和多个有机发光二极管,每个有机发光二极管都包括第一电极(阴极和阳极中的一者)和第二电极(阴极和阳极中的另一者)。所述像素界定层包括多个像素开口,每个像素开口内都设置有机发光二极管,其中,有机发光二极管的第二电极位于相应的像素开口内,有机发光二极管的第一极形成为整面电极,一部分落入像素开口中,其余部分覆盖在像素界定层上。
为了保证第一电极具有较好的光透过率,通常将第一电极设置的非常薄。但是,第一电极越薄、则该第一电极的横向电阻越大,从而导致了在显示时第一电极带来的电压降(IR Drop)也相对较大,进而导致了显示时,显示面边缘和显示面中部的亮度不一致(通常为中间亮、边缘暗)。
因此,如何降低有机发光二极管显示面板显示时的电压降成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板和该显示面板的制造方法,所述显示面板在显示时电阻压降较低,且亮度均匀。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种显示面板,其中,所述显示面板包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区,所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处,所述第一结构区环绕所述第二结构区设置,以将所述像素区与所述第二结构区间隔,
所述像素区包括发光元件,所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极,且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层;
所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块,所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层,所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上,所述导电层与所述辅助电极线电连接;
所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽;
所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
优选地,所述显示面板还包括电连接层,所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区,所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接,使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
优选地,对于同一个绝缘块而言,距离设置该绝缘块的辅助电极线越远,该绝缘块的横截面积逐渐增大。
优选地,所述发光元件还包括第二电极和有机发光功能层,所述有机发光功能层设置在所述第一电极与所述第二电极之间,不同的发光元件的第二电极绝缘间隔;
所述第二结构区将该第二结构区周围的发光元件的有机发光功能层隔开,所述第二电极与所述导电层材料相同且同步形成。
优选地,所述像素区还包括像素界定层,所述像素界定层包括像素开口,所述发光元件的有机发光功能层的一部分设置在所述像素开口中。
优选地,所述像素区还包括驱动电路,所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光,且所述驱动电路位于所述第二电极背离所述像素界定层的一侧,所述驱动电路包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括间隔设置的多个驱动电极层,所述辅助电极线与多个所述驱动电极层中的一者同层设置且材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的