[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201811590608.9 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109599429B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李杰威;臧丹丹;童亚超;殷川;熊先江;崔勇 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区,所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处,所述第一结构区环绕所述第二结构区设置,以将所述像素区与所述第二结构区间隔,
所述像素区包括发光元件,所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极和第二电极,且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层;
所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块,所述导电支撑块包括绝缘块和直接包覆所述绝缘块的导电层,所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上,所述导电层与所述辅助电极线直接接触形成电连接,所述导电层与所述第二电极材料相同且同步形成,在所述导电层远离衬底基板的一侧设置有机发光功能层,且在所述有机发光功能层远离所述衬底基板的一侧设置导电结构;
所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽;
所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括电连接层,所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区,所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接,使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,对于同一个绝缘块而言,距离设置该绝缘块的辅助电极线越远,该绝缘块的横截面积逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述发光元件还包括有机发光功能层,所述有机发光功能层设置在所述第一电极与所述第二电极之间,不同的发光元件的第二电极绝缘间隔;
所述第二结构区将该第二结构区周围的发光元件的有机发光功能层隔开。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述像素区还包括像素界定层,所述像素界定层包括像素开口,所述发光元件的有机发光功能层的一部分设置在所述像素开口中。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述像素区还包括驱动电路,所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光,且所述驱动电路位于所述第二电极背离所述像素界定层的一侧,所述驱动电路包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括间隔设置的多个驱动电极层,所述辅助电极线与多个所述驱动电极层中的一者同层设置且材料相同。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管的多个驱动电极层包括源漏电极层和栅极层,所述辅助电极线与所述栅极层同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层、钝化层和平坦化层,所述层间绝缘层覆盖所述栅极层,所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层上,以利用所述层间绝缘层将所述栅极层与所述源漏电极层绝缘间隔,所述钝化层覆盖所述源漏电极层以及所述层间绝缘层上未设置所述源漏电极层的部分,所述平坦化层覆盖所述钝化层,所述第二电极设置在所述平坦化层上,所述绝缘块还包括与所述层间绝缘层同层设置且材料相同的层间绝缘部、与所述钝化层同层设置且材料相同的钝化部以及与所述平坦化层同层设置且材料相同的平坦化部。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述层间绝缘层包括在远离所述栅极层的方向上依次层叠设置的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层,所述第一层间绝缘层的材料为硅的氧化物,所述第二层间绝缘层的材料为硅的氮氧化物,所述第三层间绝缘层的材料为硅的氮化物,所述层间绝缘部包括与所述第一层间绝缘层同层设置且材料相同的第一层间绝缘部、与所述第二层间绝缘层同层设置且材料相同的第二层间绝缘部以及与所述第三层间绝缘层同层设置且材料相同的第三层间绝缘部。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层由负性光刻胶制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的