[发明专利]一种离子刻蚀机反应腔清洗方法

说明书

本发明提供了一种离子刻蚀机反应腔清洗方法，所述方法包括以下步骤：(1)向反应腔通入氩气和氧气，保持离子刻蚀机反应腔真空度300‑400帕，进行第一次射频辉光，射频的频率为：阴极：60‑120KHZ、阳极：26‑28MHZ；(2)继续向反应腔通入氩气和氧气，调节并保持反应室内压强为200‑400帕，进行第二次射频辉光，射频的频率为阴极：13.56MHZ、阳极：2‑3GHZ，然后终止作业，清洗完毕。本发明的方法清洗操作简单，利用离子刻蚀机自身的功能进行清洗，不需要拆卸离子刻蚀机，而且本发明的方法的清洗效果好，保证仪器正常运行的清洗维护周期长。

技术领域

本发明涉及一种半导体硅片加工设备清洗的工艺，具体涉及一种离子刻蚀机反应腔清洗方法。

背景技术

在微电子领域，通常会在离子刻蚀机中对半导体元件和硅片进行离子刻蚀，而刻蚀反应腔里存留的化学物理状况会有很大差别，在设备停止使用时，会长期存在，从而影响到后续的离子刻蚀工艺。因而对于反应腔要定期进行清洁，通常清洁的方式是将机器关闭，将内部的挡板拆下，进行打砂处理。而这种方法的弊端是造成机器运行的不稳定，而打砂工艺通常会使机器内部造成二次污染，影响其清洁的效果。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种离子刻蚀机反应腔清洗方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种离子刻蚀机反应腔清洗方法，所述方法包括以下步骤：

(1)向反应腔通入氩气和氧气，保持离子刻蚀机反应腔真空度300-400帕，进行射频辉光，射频的频率为：阴极：60-120KHZ、阳极：26-28MHZ；

(2)继续向反应腔通入氩气和氧气，调节并保持反应室内压强为200-400帕，进行第二次射频辉光，射频的频率为阴极：13.56MHZ、阳极：2-3GHZ，然后终止作业，清洗完毕。

步骤(1)可以充分的使反应腔内的各种残渣脱落分解，步骤(2)将腔体内表面进一步得到刻蚀，从而使反应腔体更加光滑，使得离子刻蚀机工作起来更加稳定。本发明的方法利用离子刻蚀机自身的刻蚀功能，通过将氩气和氧气同时通入反应腔体进行射频辉光，氩气和氧气生成等离子体，在电极射频作用下，等离子体对反应腔体进行清洗，本发明的方法首先在较低的频率下进行反应，然后在较高的频率下进一步的反应使得反应腔体更加光滑，清洗效果更好。

优选地，所述第一次射频辉光的温度为50-75℃，所述第二次射频辉光的温度为50-75℃。

优选地，所述第一次射频辉光时射频的频率为：阴极：60-120KHZ、阳极：27.12MHZ；所述第二次射频辉光时射频的频率为：射频的频率为阴极：13.56MHZ、阳极：2.45GHZ。

优选地，所述第一次射频辉光时的氧气的流量为50-70sccm，氩气的流量为400-500sccm。

优选地，所述第二次射频辉光时的氧气的流量为40-60sccm，氩气的流量为300-350sccm。

优选地，所述第一次射频辉光的时间为280-320秒，所述第二次射频辉光的时间为580-620秒。

优选地，所述第一次射频辉光的时间为300秒。

优选地，所述第二次射频辉光的时间为600秒。

优选地，步骤(1)中通入氩气和氧气之前使真空度达到450帕，然后调节至所述第一次射频辉光的条件进行第一次射频辉光，步骤(2)开始前使真空度达到500帕，然后调节至所述第二次射频辉光的条件进行第二次射频辉光。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种离子刻蚀机反应腔清洗方法，本发明的方法清洗操作简单，利用离子刻蚀机自身的功能进行清洗，不需要拆卸离子刻蚀机，而且本发明的方法的清洗效果好，保证仪器正常运行的清洗维护周期长。

具体实施方式