[发明专利]发光晶体管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种发光晶体管及其制备方法。发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅极、绝缘层、源极、发光结构以及漏极；源极包括第一齿柄以及若干个与第一齿柄连接的第一齿条；发光结构，位于源极上并且覆盖绝缘层，发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；漏极包括第二齿柄以及若干个与第二齿柄连接的第二齿条；在平行于绝缘层表面的平面上，至少一个第一齿条远离第一柄齿的一端的投影位于两个第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个第二齿条远离第二柄齿的一端的投影位于两个第一齿条的投影的齿隙内。上述发光晶体管的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。

技术领域

本发明涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种发光晶体管及其制备方法。

背景技术

在有机显示半导体行业，以薄膜晶体管(TFT)驱动的有机发光二极管显示器件(OLEDs)，因其自发光、低功耗、色纯度高、低成本、可溶液法加工以及可柔性制备等优势，是当前显示技术领域的研究重点趋势之一。

为了获得高度集成化的器件结构，已有研究将TFT和OLED整合为单个光电子器件构成发光晶体管(OLETs)。与传统的OLED器件相比，发光晶体管利用了场效应晶体管(FETs)的栅场调控载流子浓度的特点，载流子的注入程度可以通过场效应晶体管的栅场调控作用进行调节，达到合适的注入载流子水平，保持载流子平衡，提高发光器件的发光效率和发光强度。

发光晶体管包括普通平面结构的有机薄膜晶体管和垂直沟道有机薄膜晶体管(VFETs)。其中，垂直沟道有机薄膜晶体管可以实现低至几十到几百纳米的沟道长度，可以在较低的驱动电压下产生足够大的沟道电流。然而，对于垂直结构的有机晶体管，有机半导体的厚度一般需要保持在几百个纳米，继续减薄容易导致器件漏电，因此也会对沟道电流有一定的限制。

发明内容

基于此，有必要针对如何进一步提高垂直结构发光晶体管的沟道电流的问题，提供一种能够提高沟道电流的发光晶体管及其制备方法。

一种发光晶体管，所述发光晶体管包括：

基板；

栅极，位于所述基板上；

绝缘层，位于所述栅极上；

源极，位于所述绝缘层上，所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条；

发光结构，位于所述源极上并且覆盖所述绝缘层，所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；以及

漏极，位于所述发光结构上，所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条；

其中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，至少一个所述第一齿条远离所述第一柄齿的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个所述第二齿条远离所述第二柄齿的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内。

本发明技术方案的发光晶体管为垂直结构的发光晶体管，其中，上述结构的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。

在其中一个实施例中，所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影错开设置，且所述第一齿条的投影朝向所述第二齿柄的方向延伸，所述第二齿条的投影朝向所述第一齿柄的方向延伸。

在其中一个实施例中，所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影均位于所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影之间。

在其中一个实施例中，若干个所述第一齿条与若干个所述第二齿条的数目相同，且一一对应。

在其中一个实施例中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，若干个所述第一齿条的投影与若干个所述第二齿条的投影不重合。