[发明专利]发光晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811588369.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN111370587B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 柯秋坛 申请(专利权)人: 广东聚华印刷显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑彤
地址: 510000 广东省广州市广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 晶体管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光晶体管,其特征在于,所述发光晶体管包括:

基板;

栅极,位于所述基板上;

绝缘层,位于所述栅极上;

源极,位于所述绝缘层上,所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条;

发光结构,位于所述源极上并且覆盖所述绝缘层,所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层;以及

漏极,位于所述发光结构上,所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条;

其中,在平行于所述绝缘层表面的平面上,所述第一齿条远离所述第一齿柄的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内,或者所述第二齿条远离所述第二齿柄的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内;所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影错开设置;若干个所述第一齿条的投影与若干个所述第二齿条的投影不重合。

2.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,所述第一齿条的投影朝向所述第二齿柄的方向延伸,所述第二齿条的投影朝向所述第一齿柄的方向延伸。

3.根据权利要求2所述的发光晶体管,其特征在于,所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影均位于所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影之间。

4.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,若干个所述第一齿条与若干个所述第二齿条的数目相同,且一一对应。

5.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,在平行于所述绝缘层表面的平面上,所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影交替排列。

6.根据权利要求5所述的发光晶体管,其特征在于,在平行于所述绝缘层表面的平面上,任意所述第一齿条的投影与相邻所述第一齿条的投影的距离相等,任意所述第二齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影的距离相等,任意所述第一齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影的距离相等。

7.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,所述第一齿条或者所述第二齿条的长度为500μm~2000μm,在平行于所述绝缘层表面的平面上,所述第一齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影之间的距离为10μm~200μm。

8.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,所述第一齿条与所述第二齿条沿平行于所述基板表面的截面形状为矩形、波浪形或者三角形。

9.根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于,所述源极还包括与第一齿柄连接的第一引脚,所述漏极还包括与第二齿柄连接的第二引脚。

10.一种发光晶体管的制备方法,包括如下步骤:

在基板上形成栅极;

在所述栅极上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成源极,所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条;

在所述源极上形成发光结构,所述发光结构覆盖所述绝缘层,且所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层;以及

在所述发光结构上形成漏极,所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条;

其中,在平行于所述绝缘层表面的平面上,所述第一齿条远离所述第一齿柄的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内,或者所述第二齿条远离所述第二齿柄的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内;所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影错开设置;若干个所述第一齿条的投影与若干个所述第二齿条的投影不重合。

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