[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。薄膜晶体管的制作方法步骤包括在第一金属层上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积有源层；在有源层上沉积掺杂层；在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。掺杂层与有源层都是半导体，掺杂层体内的每个硅原子周围都有四对共价键，而处于掺杂层表面处的硅原子上方没有其他原子与该硅原子形成共价键，掺杂层表面就形成了一些悬挂键，悬挂键会破坏电子流动，而在掺杂层的表面通入氮气，氮气可以与悬挂键结合，令掺杂层的表面形成Si‑N键，形成的Si‑N键要更稳定，使悬挂键饱和，减少掺杂层表面处的缺陷态，降低漏电流，减小薄膜晶体管开关阈值电压的漂移。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)可包括使用形成在绝缘支撑基底上的半导体薄膜制造的场效应晶体管。像其它场效应晶体管一样，TFT具有三个端：栅极、漏极和源极，通过调节施加到栅极的电压以导通或截止在源极和漏极之间流动的电流来使用TFT以执行开关操作。TFT可用在传感器、存储器件、光学器件中，作为平板显示装置的开关单元和作为平板显示装置的驱动单元。

TFT会产生较大的漏电流，影响显示效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种降低漏电流的薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法,步骤包括：

在第一金属层上沉积第一绝缘层；

在第一绝缘层上沉积有源层；

在有源层上沉积掺杂层；

在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。

可选的，在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜的步骤包括：

在掺杂层成膜工艺后通入氮气形成所述第一薄膜。

可选的，所述在掺杂层的表面通入氮气形成所述第一薄膜的步骤包括：

在所述掺杂层的表面通入氮气的时间不超过20秒，形成所述第一薄膜。

可选的，在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜的步骤包括：

在掺杂层蚀刻工艺后通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜。

可选的，所述在掺杂层蚀刻工艺后通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜的步骤包括：

在所述第一薄膜上沉积形成第二金属层；

蚀刻所述第二金属层形成源极和漏极；

蚀刻所述掺杂层形成沟道；

在所述沟道的表面通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜。

可选的，所述蚀刻第二金属层形成源极和漏极的步骤包括：

在所述第二金属层上涂布光刻胶；

通过曝光显影形成源极和漏极的图案；

使用剥离液将图案以外的光刻胶去除；

使用蚀刻液将图案以外的第二金属层去除形成源极和漏极。

可选的，所述蚀刻掺杂层形成沟道的步骤包括：

在源极和漏极之间通入刻蚀气体蚀刻形成沟道。

可选的，在源极和漏极之间通入刻蚀气体蚀刻形成沟道的步骤包括：

将蚀刻气体高温处理成等离子体；

将等离子体通入源极和漏极之间形成沟道。