[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在第一金属层上沉积第一绝缘层；

在第一绝缘层上沉积有源层；

在有源层上沉积掺杂层；

在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜的步骤包括：

在掺杂层成膜工艺后通入氮气形成所述第一薄膜。

3.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜的步骤包括：

在掺杂层蚀刻工艺后通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜。

4.如权利要求3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在掺杂层蚀刻工艺后通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜的步骤包括：

在所述第一薄膜上沉积形成第二金属层；

蚀刻所述第二金属层形成源极和漏极；

蚀刻所述掺杂层形成沟道；

在所述沟道的表面通入氮气形成所述第一薄膜和第二薄膜。

5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述蚀刻所述第二金属层形成源极和漏极的步骤包括：

在第二金属层上涂布光刻胶；

通过曝光显影形成源极和漏极的图案；

使用剥离液将图案以外的光刻胶去除；

使用蚀刻液将图案以外的第二金属层去除形成所述源极和漏极。

6.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在掺杂层的表面通入氮气形成所述第一薄膜的步骤包括：

在所述掺杂层的表面通入氮气的时间不超过20秒，形成所述第一薄膜。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

第一金属层；

第一绝缘层，覆盖所述第一金属层；

有源层，设置在所述第一绝缘层上；

掺杂层，设置在所述有源层上；以及

第一薄膜，覆盖所述掺杂层表面，所述第一薄膜通过在所述掺杂层的表面通入氮气形成。

8.如权利要求7所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜的成分为氮化硅。

9.如权利要求7所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括沟道、源极、漏极和第二薄膜，所述源极和漏极设置在所述第一薄膜上，所述沟道将源极和漏极隔开，所述沟道将所述第一薄膜和所述掺杂层各分为两个部分，所述沟道的底部为有源层，所述第二薄膜位于沟道底部的有源层表面。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7至9任意一项所述的薄膜晶体管。