[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。该TFT阵列基板的制作方法通过PFA工艺在色阻层上形成平坦层，该平坦层上会产生一些缺陷，然后对缺陷进行研磨修补，去除缺陷，研磨修补会在缺陷处使平坦层及色阻层磨破以暴露出钝化层，在暴露出的钝化层上形成一层保护膜，然后在所述平坦层上形成一层电极薄膜，对电极薄膜图案化处理形成像素电极层时，可以防止图案化处理时破坏钝化层，避免像素电极层与TFT层短路，提高研磨修补成功率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。液晶显示面板成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、刻蚀及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

现有的COA(Color filter OnArray，彩色滤光片整合于阵列基板)型TFT阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的色阻层、设于所述色阻层上的第二钝化层以及设于所述第二钝化层上的像素电极层。现有技术中通过PFA(聚合物薄膜集成到阵列基板，Polymer Film on Array)工艺制作一平坦层取代第二钝化层，在PFA工艺中会产生颗粒(particle)类的缺陷，为有效提升良率，需在PFA工艺完成后，针对particle进行研磨修补，研磨修补的成功率成为改善的重点。

现有技术通过使用特殊的胶带(Tape)材料，通过Tape转动，接触缺陷表面，将原本附着在TFT阵列基板上的particle黏附在Tape表面并带出，进行研磨修补，然而Tape与平坦层表面有直接的机械接触并做相对运动，使得部分缺陷修补完成后产生磨破，裸露出第一钝化层且没有光阻对第一钝化层进行保护，导致在后续制作像素电极层时，第一钝化层与制程药液发生反应，导致TFT层与像素电极层产生短路(short)，则修补失败。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，可以避免像素电极层与TFT层短路，提高研磨修补成功率。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上形成钝化层，在所述钝化层上形成色阻层；

步骤S2、通过PFA工艺在所述色阻层上形成平坦层，该平坦层上具有缺陷；

步骤S3、对所述平坦层上的缺陷进行研磨修补以去除缺陷，该研磨修补会在缺陷处使平坦层及色阻层磨破以暴露出钝化层；

步骤S4、在暴露出的钝化层上形成一层保护膜；