[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)，在所述TFT层(20)上形成钝化层(30)，在所述钝化层(30)上形成色阻层(40)；

步骤S2、通过PFA工艺在所述色阻层(40)上形成平坦层(50)，该平坦层(50)上具有缺陷(51)；

步骤S3、对所述平坦层(50)上的缺陷(51)进行研磨修补以去除缺陷(51)，该研磨修补会在缺陷(51)处使平坦层(50)及色阻层(40)磨破以暴露出钝化层(30)；

步骤S4、在暴露出的钝化层(30)上形成一层保护膜(31)；

步骤S5、在所述平坦层(50)上形成一层电极薄膜(60’)，对电极薄膜(60’)图案化处理形成像素电极层(60)；

所述保护膜(31)的材料为彩色墨水。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中保护膜(31)的具体形成过程为：在暴露出的钝化层(30)上涂布一层彩色墨水，对该彩色墨水进行固化形成一层保护膜(31)。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过紫外光照射彩色墨水进行固化。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中图案化处理具体过程为：在电极薄膜(60’)上涂布一层光刻胶，通过对光刻胶进行曝光及显影后，暴露出部分电极薄膜(60’)，以光刻胶为遮挡对暴露的部分电极薄膜(60’)进行湿蚀刻，形成像素电极层(60)，最后剥离光刻胶。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护膜(31)不会被用于湿蚀刻的药液所蚀刻。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层(30)的材料为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种的组合。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述缺陷(51)为颗粒物。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中研磨修补的具体过程为：通过胶带接触缺陷(51)表面并进行转动，将颗粒物黏附在胶带表面并带出。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)上的绝缘层(22)、设于所述绝缘层(22)上的有源层(23)以及设于所述有源层(23)上并分别与该有源层(23)两端接触的源极(24)和漏极(25)；

所述像素电极层(60)通过一贯穿所述平坦层(50)、色阻层(40)及钝化层(30)的过孔(61)与漏极(25)接触。