[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种烧结钕铁硼磁体，其特征在于，按质量百分含量计，所述烧结钕铁硼磁体具有以下通式：Re_aDy_bFe_100-a-b-c-dB_cM_d；Re为Pr、Nd、La、Ce、Gd和Ho中的一种或几种；M为Co、Cu、Al、Nb、Ga、Zr、Ti和Cr中的一种或几种，31≤a≤32，1.5≤b≤1.8，0.96≤c≤0.99，2≤d≤3；

所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：

（1）按照上述通式进行配料，增加稀土质量的0.5%；

（2）将配好的料放入真空感应速凝炉中于惰性气体中进行熔炼浇铸，浇铸完成后充氩气进行鼓风冷却，获得钕铁硼速凝薄带；

（3）将步骤（2）得到的钕铁硼速凝薄带进行氢爆，获得钕铁硼中粉；

（4）将步骤（3）得到的钕铁硼中粉进行气流磨制粉，获得平均粒度为1.5~5μm的粉体，加入防氧化剂和润滑剂，得到钕铁硼成粉；

（5）将步骤（4）得到的钕铁硼成粉进行钝化处理，磁场取向成型，等静压成型，得钕铁硼生坯；钝化时间控制在1~10h；

（6）将步骤（5）得到的钕铁硼生坯进行真空烧结，两次回火，即得烧结钕铁硼磁体；

真空烧结工艺采用阶梯式升温过程：

350℃之前，升温速率5~7℃/min；

350℃~450℃，升温速率5℃/min，保温时间2.5~5h；

450~850℃，升温速率4~6℃/min；

850~950℃，升温速率0~5℃/min，保温时间5~10h；

950~1020℃，升温速率3~5℃/min；

1020~1040℃，升温速率2~3℃/min，保温时间0.5~1h；

1040~1080℃，升温速率在2~5℃/min，保温时间4.5~10h；

在最高温度保温时间达到后快速冷却至室温；

步骤（3）中，氢爆过程中添加0.1~2wt%的Re₁小块，Re₁为Pr、Nd、La、Ce、Gd和Ho中的一种或几种；然后添加0.1~1.8wt%的Re₂Fe或Re₂FeB甩片，Re₂为Gd、Ho、Dy和Tb中的一种或几种；

和/或：

步骤（4）中，气流磨过程中添加0.1~2wt%的Re₁中粉，Re₁为Pr、Nd、La、Ce、Gd和Ho中的一种或几种；然后添加0.1~1.8wt%的Re₂Fe或Re₂FeB中粉，Re₂为Gd、Ho、Dy和Tb中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述烧结钕铁硼磁体的剩磁Br在11.7~12.3kGs；矫顽力Hcj在20~25kOe；磁能积在33~38MGOe；氧含量在200~2000ppm。