[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811579747.1 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534492A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 久米一平;松田竹人;奥田真也;村野仁彦 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林勳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贯通孔 绝缘膜 衬底 半导体 半导体装置 金属部 缺陷产生 侧面 相反侧 贯通 制造 | ||
1.一种半导体装置，具有：
半导体衬底，设置着从第1面贯通至与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔；
金属部，形成在所述贯通孔的内部；
第1绝缘膜，设置在所述半导体衬底的所述第2面上及所述贯通孔的侧面；以及
第2绝缘膜，设置在所述半导体衬底的贯通孔的侧面上的所述金属部侧的第1绝缘膜上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述半导体衬底与所述第1绝缘膜之间形成着第1氧化硅膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜与所述第1氧化硅膜相比，Si-OH/Si-O键量比较低。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜是氮化硅膜。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第2绝缘膜的相对介电常数为6.5以下。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第2绝缘膜是第2氧化硅膜。
7.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：
形成贯通半导体衬底并开口的贯通孔；
在所述半导体衬底上的第2面上及所述贯通孔的内部在150℃以下成膜第1氧化硅膜；
在所述半导体衬底上的第2面上及所述贯通孔的内部的所述第1氧化硅膜上成膜第1绝缘膜；
在所述半导体衬底上的第2面上及所述贯通孔的内部的所述第1绝缘膜上成膜相对介电常数为6.5以下的第2绝缘膜；
将所述半导体衬底上的第2面上的所述第2绝缘膜去除；以及
在所述贯通孔的内部形成金属部。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1绝缘膜与所述第1氧化硅膜相比，Si-OH/Si-O键量比较低。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1绝缘膜是氮化硅膜，所述第2绝缘膜是第2氧化硅膜。
10.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：
形成贯通半导体衬底并开口的贯通孔；
以下任一个步骤，即，在所述半导体衬底上的第2面上及所述贯通孔的内部在150℃以下成膜氧化硅膜，然后以400℃以上进行热处理，或者在所述半导体衬底上的第2面上及所述贯通孔的内部以400℃以上成膜氧化硅膜；以及
在所述贯通孔的内部形成金属部。
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