[发明专利]缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法在审
申请号: | 201811574860.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109698167A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 徐佳丽;刘林杰 | 申请(专利权)人: | 河北中瓷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/04;H01L21/48;H01L21/66 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 050000 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底盘 去应力 陶瓷体 墙体 陶瓷封装 应力释放 缓解 陶瓷 热膨胀系数 焊料 凹槽设置 残余应力 封装过程 金属零件 敏感位置 薄弱点 内墙面 受力点 陶瓷件 重合 接缝 内壁 内墙 焊接 匹配 堆积 开口 延伸 吸收 | ||
本发明提供了一种缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法,属于陶瓷封装技术领域,包括底盘、设于底盘上的陶瓷体和设于底盘上的墙体,陶瓷体置于底盘的一端,墙体的一端设有用于设置陶瓷体的开口,墙体与陶瓷体和底盘相接的一端设有沿接缝延伸的去应力凹槽,去应力凹槽设置在墙体的内墙面上,去应力凹槽靠近陶瓷体和底盘的内壁与陶瓷体和底盘接触面重合,去应力凹槽的槽底低于墙体的内墙面。本发明提供的缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法,在墙体与陶瓷件和底盘焊接的敏感位置增加去应力去应力凹槽,通过堆积焊料吸收部分残余应力,使陶瓷受力点远离结构薄弱点,进而缓解陶瓷与金属零件封装过程中由于热膨胀系数不匹配造成的失效。
技术领域
本发明属于陶瓷封装技术领域,更具体地说,是涉及一种缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法。
背景技术
随着5G时代的到来,陶瓷金属管壳以更高性能、更高集成、更难结构、更难加工的姿态挑战着光通信领域。由于陶瓷与金属热膨胀系数的不匹配,焊接过程中形成残余应力降低连接强度,因此陶瓷与金属连接产生残余应力的计算、测量、缓解是工程陶瓷在应用中必须解决的关键问题之一。而残余应力的缓解更成为了重中之重。目前对残余应力的缓解方式主要采用加应力缓解层,设计合理的连接结构,采用合理连接工艺等方法,但受壳体使用影响,在无法进行结构变更及工艺变更时,需要寻求其他手段去释放或缓解已有的残余应力。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法,以解决现有技术中存在的残余应力对壳体强度影响的技术问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法,
所述方法包括:
在墙体上与陶瓷体和底盘相接的一端沿焊接缝设置去应力去应力凹槽,根据陶瓷体屈服强度和底盘形变要求,利用有限元计算所述去应力凹槽的尺寸;
计算焊料量;
墙体、陶瓷体和底盘装配组合焊接;
残余应力对比测试。
进一步地,所述去应力凹槽的槽底至所述墙体的外墙面之间的距离大于或等于0.1mm。
进一步地,所述去应力凹槽的宽度小于或等于0.2mm。
进一步地,所述底盘为钨铜材质。
进一步地,所述墙体的材质为可伐合金。
进一步地,所述墙体的外墙面与所述底盘的四周外侧面平齐。
进一步地,所述陶瓷体具有三个连续外侧面露于所述墙体的外面,其中位于三个中间的一个外侧面凸出于所述底盘,相互平行的两个外侧面与所述底盘的外侧面平齐。
进一步地,所述陶瓷体凸出于所述底盘的外侧面设有与该外侧面垂直且向外延伸的平台。
进一步地,所述陶瓷体与所述墙体接触面的宽度大于所述墙体的厚度。
本发明提供的缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法的有益效果在于:与现有技术相比,本发明缓解陶瓷封装过程中应力释放的方法,在不改变壳体外形结构的情况下,在墙体与陶瓷件和底盘焊接的敏感位置增加去应力去应力凹槽,在焊接过程中,焊料在去应力凹槽内侧流散形成包角,通过堆积焊料吸收部分残余应力,同时也减小焊接面积,使陶瓷受力点远离结构薄弱点,进而缓解陶瓷与金属零件封装过程中由于热膨胀系数不匹配造成的失效。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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