[发明专利]一种芯片的封装结构及制备方法

说明书

本发明公开了一种芯片封装结构及制备方法，其中芯片封装结构，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。本发明提供的制备方法，采用interposer工艺预先将线路埋置，可以有效避免现有技术采用TSV背面引线的高温高压工艺时，产生的高温高压使得芯片封装中多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题，可以采用多种永久键合工艺，可靠性更高。转接基板可以采用12吋的晶圆或12吋方板，相比现有技术一般小于6吋的晶圆，能够大幅增加产能。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片的封装结构及制备方法。

背景技术

现有的滤波器封装结构是在芯片的功能面键合基板，然后在基板上进行硅通孔(Through Silicon Vias，TSV)互联结构，将芯片功能面的电性引出至基板上，由于硅是热的良导体，可以明显改善导热性能，从而延长了器件的寿命。但是，将芯片功能面的电性引出至基板上需要采用TSV背面引线工艺，其对于键合片工艺要求较高，需高温高压工艺，工艺不稳定，该封装结构为了保证后续薄片加工需要做临时键合以及拆键合动作，而且由于芯片衬底材质的热膨胀系数较硅基板而言，高了很多，在后段晶圆级加工过程中容易出现因为多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题，甚至更严重的是对最终产品自身的结构强度带来隐患。

发明内容

因此，本发明提供一种芯片的封装结构及制备方法，有效避免了现有技术对滤波器芯片进行封装时，采用TSV背面引线的高温高压工艺制作过程中带来质量缺陷隐患的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片封装结构，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。

在一实施中，所述芯片封装结构，还包括：塑封层，所述塑封层塑封所述转接基板的第一表面及所述芯片。

在一实施中，所述预埋线路贯穿所述凹槽至所述第二表面。

在一实施中，所述芯片封装结构，还包括：引脚层，形成于所述转接基板的第二表面上，与所述预埋线路互连。

在一实施中，引脚，扇出在所述引脚层的表面。

在一实施中，所述转接基板为12吋晶圆或12吋方板。

在一实施中，所述芯片为滤波器芯片。

第二方面，本发明实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法，包括如下步骤：提供一转接基板，所述转接基板具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面；在所述转接基板的第一表面上开设至少之一向第二表面延伸的凹槽，并在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；将芯片安装在所述凹槽内，所述芯片具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述预埋线路互连。

在一实施中，上述芯片封装结构的制备方法，还包括：将所述转接基板的第二表面进行减薄，露出所述预埋线路。

在一实施中，上述芯片封装结构的制备方法，，还包括：将所述转接基板的第一表面及所述芯片进行塑封。

在一实施中，上述的芯片封装结构的制备方法，还包括：在所述转接基板的第二表面上形成引脚层，所述引脚层包括引脚，扇出所述引脚层表面。

本发明技术方案，具有如下优点：