[发明专利]柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板在审
| 申请号: | 201811573262.1 | 申请日: | 2018-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN111354741A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 陈志宏;黄成沛;王忠春 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/00;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;潘一诺 |
| 地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明提供一种柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板。柔性阵列基板包括:柔性基底;以及多层无机层和多层金属层在所述柔性基底上堆叠形成的多个薄膜晶体管,其中,至少一层无机层图案化形成多个包含薄膜晶体管的岛状结构,相邻岛状结构之间填充有弯折性能大于所述无机层的有机层,使得所述柔性阵列基板弯曲时,相邻岛状结构具有间隙以进行应力释放。本发明提供的柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板通过一层或多层无机层图案化后,在弯折及绕曲过程中,可释放应力,遏制无机层裂纹产生,防止由于无机层裂纹导致的器件损坏及密封作用失效,最终导致显示异常。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板。
背景技术
近年来,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)技术发展迅速,已经成为最有可能替代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的前景技术。
OLED显示面板又可以分为刚性面板和柔性面板。相较于传统显示面板,OLED柔性面板优势明显,不仅在体积上更加轻薄,功耗上也低于原有器件,有助于提升设备的续航能力,同时基于其可弯曲、柔韧性佳的特性,其耐用程度也大大高于以往屏幕,降低设备意外损伤的概率。
然而,柔性显示面板的现有膜层结构设计存在大面积无机层,无机层在柔性显示面板中主要作用为形成电容、金属间绝缘及阻水氧的密封作用。如图1和图2所示,显示面板中包括衬底110、无机层120及金属层130。在图1向图2变化的过程中,大面积无机层120在弯折的过程中通常会因应力无法释放,易发生裂纹,引起器件损坏,最终导致显示异常。由此可见,现有的膜层结构设计难以适用于柔性折叠显示。
发明内容
本发明为了克服上述现有技术存在的缺陷,提供一种柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板,其能够适用于柔性折叠显示。
根据本发明的一个方面,提供一种柔性阵列基板,包括:
柔性基底;以及
多层无机层和多层金属层在所述柔性基底上堆叠形成的多个薄膜晶体管,其中,至少一层无机层图案化形成多个包含薄膜晶体管的岛状结构,相邻岛状结构之间填充有弯折性能大于所述无机层的有机层,使得所述柔性阵列基板弯曲时,相邻岛状结构具有间隙以进行应力释放。
可选地,所述柔性阵列基板弯曲时,相邻岛状结构不接触或虚接触。
可选地,自第一方向依次选取薄膜晶体管之间的一层或多层无机层图案化,所述第一方向垂直所述柔性基底,且自所述柔性基底形成多个薄膜晶体管的一侧朝向所述柔性基底。
可选地,所述岛状结构在垂直所述柔性基底的截面上的宽度沿第一方向增大。
可选地,所述岛状结构在垂直所述柔性基底的截面上的最小宽度为w1,所述岛状结构在垂直所述柔性基底的截面上的最大宽度为w2,所述岛状结构在垂直所述柔性基底的截面上的侧边长度为h1,则所述柔性基底在相邻岛状结构之间的曲率半径R大于h1w1/(w2-w1),其中,w1、w2、h1、R都为大于0的常数。
可选地,所述无机层图案在垂直所述柔性基底的截面上的宽度大于薄膜晶体管的任一金属层在垂直所述柔性基底的截面上的宽度。
可选地,所述多层无机层包括:
缓冲层,形成在所述柔性基底之上;
栅绝缘层,所述缓冲层位于所述栅绝缘层和所述柔性基底之间;以及
接触孔形成层,所述栅绝缘层位于所述接触孔形成层和所述缓冲层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811573262.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





