[发明专利]半导体器件制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆具有彼此相对的正面和背面，对所述载体晶圆的正面进行处理使得所述载体晶圆的正面具有与待封装芯片正面的图形相配合的图形；将芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面上；将所述待封装芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上；其中，所述待封装芯片的正面朝向所述载体晶圆的正面，且所述待封装芯片的正面与所述芯片粘结薄膜紧密贴合。该半导体器件制作方法改善了面向下进行芯片粘结时由于芯片正面焊盘开孔导致接触面积有限，结合力差的问题，使芯片与芯片粘结薄膜的结合力明显提高，改善了后续进行塑封时芯片漂移的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件制作方法。

背景技术

扇出式(Fan-out)封装是将性能完好的芯片嵌入至塑封(molding)材料或基体中，通过RDL(重新布线层)等金属连接方式实现与其他器件的连接。扇出式封装工艺有效缩小了封装的厚度和大小，能够兼容多种芯片的封装，成本更低，器件性能更高，成为现在封装工艺的热点。

扇出式封装工艺过程中，极为重要的一个过程为芯片粘结工艺(即DA，Dieattach)，即将一颗一颗的芯片快速粘结至粘结膜(film)上。然而，根据产品要求有时需要以面向下(face down)形式(即设计面贴合在粘结膜上)进行芯片粘结工艺，由此出现一个问题，如图1所示，在目前芯片100的表面上焊盘101(pad)所占面积非常大，例如达到芯片表面积的80％多，并且通常焊盘101的表面低于钝化层102的表面，也即焊芯片100表面存在露出焊盘101的开孔103，这样当将芯片100粘结在芯片粘结薄膜200时，由孔开孔103的存在，焊盘101不能与芯片粘结薄膜200接触，使得芯片100与载体上的芯片粘结薄膜200接触面积小于20％，从而造成二者之间的结合力不足，这会导致在后续进行塑封(molding)工艺时发生芯片漂移，进而影响封装效果，甚至封装失败。

因此有必要提出一种半导体器件制作方法，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件的制作方法，其可以改善面向下进行芯片粘结时由于芯片正面焊盘开孔导致接触面积有限，结合力差的问题，使芯片与芯片粘结薄膜的结合力明显提高，改善了后续进行塑封时芯片漂移的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件制作方法，包括：

提供载体晶圆，所述载体晶圆具有彼此相对的正面和背面，对所述载体晶圆的正面进行处理使得所述载体晶圆的正面具有与芯片的正面形状相配合的凹凸面；

将芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面上；

将所述芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上；其中，所述芯片的正面朝向所述载体晶圆的正面，且所述芯片的正面与所述芯片粘结薄膜紧密贴合。

在本发明一个实施例中，所述芯片的正面具有凹槽，所述载体晶圆的正面具有与所述凹槽对应的凸起。

在本发明一个实施例中，所述芯片正面的所述凹槽的深度等于所述载体晶圆正面的所述凸起的高度。

在本发明一个实施例中，所述芯片包括至少两种不同类型的芯片，所述至少两种不同类型的芯片具有至少两种不同类型的凹槽，所述载体晶圆的正面具有分别与所述至少两种不同类型的芯片的正面图形相配合的图形。

在本发明一个实施例中，所述芯片具有至少两种不同类型的凹槽，所述载体晶圆的正面具有与所述至少两种不同类型的凹槽相配合的凸起。

在本发明一个实施例中，所述对所述载体晶圆的正面进行处理包括：

在所述载体晶圆的正面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层具有与所述芯片的正面的形状相配合的图案；

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述载体晶圆，形成与所述芯片的正面形状相配合的凹凸面；