[发明专利]半导体器件制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供载体晶圆，所述载体晶圆具有彼此相对的正面和背面，对所述载体晶圆的正面进行处理使得所述载体晶圆的正面具有与芯片的正面形状相配合的凹凸面，所述芯片正面形成有钝化层，所述钝化层具有用于露出焊盘的开口，所述开口构成凹槽，所述载体晶圆的正面具有与所述凹槽对应的凸起；

将芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面上，所述芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面上后，所述芯片粘结薄膜的形状与所述载体晶圆正面图形一致；

将所述芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上；其中，所述芯片的正面朝向所述载体晶圆的正面，且所述芯片的正面与所述芯片粘结薄膜紧密贴合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述芯片正面的所述凹槽的深度等于所述载体晶圆正面的所述凸起的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述芯片包括至少两种不同类型的芯片，所述至少两种不同类型的芯片具有至少两种不同类型的凹槽，所述载体晶圆的正面具有分别与所述至少两种不同类型的芯片的正面图形相配合的图形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述芯片具有至少两种不同类型的凹槽，所述载体晶圆的正面具有与所述至少两种不同类型的凹槽相配合的凸起。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述对所述载体晶圆的正面进行处理包括：

在所述载体晶圆的正面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层具有与所述芯片的正面的形状相配合的图案；

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述载体晶圆，形成与所述芯片的正面形状相配合的凹凸面；

去除所述图形化的掩膜层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述载体晶圆包括硅晶圆或玻璃晶圆。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述载体晶圆为硅晶圆，以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述载体晶圆时刻蚀气体包括SF₆。

8.根据权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述载体晶圆为玻璃晶圆，以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述载体晶圆时刻蚀气体包括C₄F₈。

9.根据权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层或硬掩膜层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述芯片粘结薄膜包括干膜或者芯片连接薄膜。

11.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在真空环境中将芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面上。

12.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，当所述芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上时，所述焊盘与所述芯片粘结薄膜接触。

13.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在将所述芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上之后，所述方法还包括：

形成覆盖所述芯片粘结薄膜和所述芯片的塑封层；

使所述芯片与所述载体晶圆分离；

在所述芯片上形成再布线层和与所述再布线层连接的凸块。