[发明专利]一种晶圆级系统封装方法以及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级系统封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供承载晶圆，在所述承载晶圆上粘结芯片；

在所述承载晶圆上形成键合材料层，以覆盖所述芯片并作为封装层；

提供形成有芯片的器件晶圆，并将所述器件晶圆形成有芯片的面与所述承载晶圆经所述键合材料层相接合；

在将晶圆接合在一起之前或之后，在所述键合材料层中形成通孔，进而形成将所述承载晶圆上的芯片和/或所述器件晶圆上的芯片电性连接到表面的插塞。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述键合材料层为光刻键合材料。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述键合材料层包括芯片连接薄膜和干膜中的至少一种。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在将晶圆接合在一起之后，蚀刻所述键合材料层，以形成通孔、用于形成所述插塞。

5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在将晶圆接合在一起之前，对所述键合材料层进行光刻，以在所述键合材料层中形成至少部分通孔、用于形成所述插塞。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述承载晶圆中的所述芯片背面朝向所述承载晶圆的粘结面；

在所述接合之后，图案化所述器件晶圆的背面，以形成第一通孔和第二通孔、分别露出所述承载晶圆中的芯片上的焊垫和所述器件晶圆中的芯片上的焊垫；

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充导电材料，以形成第一插塞和第二插塞，分别与所述承载晶圆中的芯片上的焊垫和所述器件晶圆中的芯片上的焊垫电连接。

7.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述承载晶圆中的所述芯片正面朝向所述承载晶圆的粘结面；

在所述接合之前，光刻所述光刻键合材料层，以形成第三通孔；

在所述接合之后，所述器件晶圆中的芯片上的焊垫与所述第三通孔相对设置；

去除所述承载晶圆，以露出所述器件晶圆中的芯片上的焊垫；

在所述键合材料层上形成介电层，并图案化所述介电层，以形成第四通孔，露出所述承载晶圆中的芯片上的焊垫或连通所述第三通孔露出所述器件晶圆中的芯片上的焊垫；

在所述第三通孔和所述第四通孔中填充导电材料，以形成第三插塞和第四插塞，分别与所述器件晶圆中的芯片上的焊垫和所述承载晶圆中的芯片上的焊垫电连接；

或者；

所述承载晶圆中的所述芯片背面朝向所述承载晶圆的粘结面；

在所述接合之前，光刻所述光刻键合材料层，以形成通孔，露出所述承载晶圆中的芯片上的焊垫；

在所述接合之后，图案化所述器件晶圆，以形成第六通孔，露出所述器件晶圆中芯片上的焊垫或连通第五通孔露出所述承载晶圆中的芯片的上的焊垫；

在所述第五通孔和所述第六通孔中填充导电材料，以形成第五插塞和第六插塞，分别与所述承载晶圆中的芯片的上的焊垫和所述器件晶圆中芯片上的焊垫电连接。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述键合材料层的厚度为30微米-200微米，和/或，所述键合材料层为一层或多层。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述承载晶圆上粘结的芯片的厚度小于100微米。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述芯片通过芯片连接薄膜和/或干膜粘贴在所述承载晶圆上。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在形成所述插塞之后，还包括：

在接合后的器件的表面上形成介电层和/或钝化层；

在所述介电层和/或钝化层中形成再分布互连结构，电连接所述插塞，其中，所述再分布互连结构包括再布线层和焊盘，或者，包括焊盘。