[发明专利]一种埋入式元件电路板及其制作方法在审
申请号: | 201811572123.7 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111354650A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 黄立湘;缪桦 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 埋入 元件 电路板 及其 制作方法 | ||
1.一种埋入式元件电路板制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在载体层上依次设置第一金属层和第二金属层;
将至少一个埋入式元件设置于所述第二金属层上;
封装所述埋入式元件;
剥离所述载体层和所述第一金属层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在载体层上依次设置第一金属层和第二金属层包括:
通过粘连剂将所述第一金属层设置在所述载体层上;
将所述第二金属层设置在所述第一金属层上。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一金属层的厚度为3微米,所述第二金属层的厚度为15微米。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将至少一个埋入式元件设置于所述第二金属层上包括:
在所述埋入式元件靠近所述第二金属层的一侧设置粘连剂,以将至少一个所述埋入式元件设置于所述第二金属层上。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述封装所述埋入式元件包括:
在所述埋入式元件背离所述第二金属层的一侧依次设置绝缘层和核心层。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述埋入式元件包括设置在靠近所述第二金属层一端的第一引脚,和/或设置于远离所述第二金属层一端的第二引脚。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述剥离所述载体层和所述第一金属层之后包括:
在所述第二金属层上设置有至少一开口,以使所述第一引脚裸露在所述开口中。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述第二金属层上设置有至少一开口包括:
通过机械钻孔或激光钻孔在所述第二金属层上设置所述开口。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述至少一开口包括多个所述开口,在所述第二金属层上设置有至少一开口之后包括:
在每个所述开口设置导电窗;
将与多个所述开口对应的多个所述导电窗进行电性隔离处理。
10.一种埋入式元件电路板,其特征在于,所述埋入式元件电路板包括如权利要求1-9任一项方法制得的埋入式元件电路板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造