[发明专利]真空装置、真空系统、设备制造装置、设备制造系统以及设备的制造方法有效
申请号: | 201811571926.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110391151B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 小林康信 | 申请(专利权)人: | 佳能特机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/04;C23C14/24;C23C14/54;C23C14/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘日华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 装置 系统 设备 制造 以及 方法 | ||
1.一种设备制造装置,其特征在于,具有:
第一腔室;
第二腔室;
包括分别对所述第一腔室进行排气的第一泵和第二泵的第一泵部;
包括对所述第二腔室进行排气的第三泵的第二泵部;
与所述第一泵部连接、向所述第一泵供给电力或制冷剂的第一泵动作部;
与所述第一泵部连接、向所述第二泵供给电力或制冷剂,并且与所述第二泵部连接、向所述第三泵供给电力或制冷剂的第二泵动作部。
2.根据权利要求1所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第二泵部还包括第四泵;
所述第一泵动作部与第二泵部连接,向所述第四泵供给电力或制冷剂。
3.根据权利要求1所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第一腔室和所述第二腔室经由第三腔室而连接。
4.根据权利要求3所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第一腔室和所述第二腔室是用于蒸镀有机材料的蒸镀室,
所述第三腔室是用于输送基板或掩模的输送室。
5.一种设备制造装置,其特征在于,具有:
第一腔室;
第二腔室;
包括分别对所述第一腔室进行排气的第一泵和第二泵的第一泵部;
包括分别对所述第二腔室进行排气的第三泵和第四泵的第二泵部;
与所述第一泵部连接、向所述第一泵供给电力或制冷剂的第一泵动作部;
与所述第一泵部连接、向所述第二泵供给电力或制冷剂,并且与所述第二泵部连接、向所述第三泵供给电力或制冷剂的第二泵动作部;
与所述第二泵部连接、向所述第四泵供给电力或制冷剂的第三泵动作部。
6.根据权利要求5所述的设备制造装置,其特征在于,
还具有:
第三腔室;
包括分别对所述第三腔室进行排气的第五泵和第六泵的第三泵部,
所述第三泵动作部与第三泵部连接、向所述第五泵供给电力或制冷剂,
所述第一泵动作部与第三泵部连接、向所述第六泵供给电力或制冷剂。
7.根据权利要求6所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第一腔室和所述第二腔室经由所述第三腔室而连接。
8.根据权利要求7所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第一腔室和所述第二腔室是收纳使用前后的掩模的掩模储存腔室,
所述第三腔室是用于输送基板或掩模的输送室。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的设备制造装置,其特征在于,
所述第一泵动作部和所述第二泵动作部分别是用于向连接的泵供给电力或压缩制冷剂的供给部。
10.根据权利要求9所述的设备制造装置,其特征在于,
所述泵包括具有制冷机的低温泵,
所述供给部是用于将制冷剂压缩并向所述制冷机供给的压缩机。
11.一种设备制造系统,其特征在于,包括:
权利要求1至8中的任一项所述的设备制造装置;
用于控制所述设备制造装置的控制部。
12.根据权利要求11所述的设备制造系统,其特征在于,
所述控制部控制所述设备制造装置的多个泵动作部的动作。
13.根据权利要求11所述的设备制造系统,其特征在于,
所述控制部以使所述设备制造装置的多个腔室内的压力相等的方式控制所述多个泵动作部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造