[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

实施方式提供一种提高了衬底接合的可靠性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将支撑衬底与半导体衬底的第一面经由粘接层而粘接；对半导体衬底的第一面及相反侧的第二面进行加工，而将半导体衬底薄膜化；第一研磨步骤，在半导体衬底的薄膜化之后，将形成在支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层的一部分利用第一研磨面进行研磨而去除；及第二研磨步骤，在第一研磨步骤之后，将残存于支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层利用与第一研磨面不同的第二研磨面进行研磨而去除。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-99668号(申请日：2018年5月24日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

在背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)传感器或利用TSV(Through-Silicon Via，硅穿孔)的积层型半导体装置的制造步骤中，存在为了半导体衬底的薄膜化而将支撑衬底与半导体衬底经由粘接层贴合的制造步骤。在衬底贴合时，存在粘接层伸出到衬底的斜面部的情况，但在粘接层中使用有导电性材料的情况下，存在于干式蚀刻、溅镀、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等使用等离子体的半导体制造的过程中产生电弧击穿，而导致衬底破坏的情况。

发明内容

实施方式提供一种提高了衬底接合的可靠性的半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将支撑衬底与半导体衬底的第一面经由粘接层粘接；对半导体衬底的第一面及相反侧的第二面进行加工，而将半导体衬底薄膜化；第一研磨步骤，在半导体衬底的薄膜化之后，将形成于支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层的一部分利用第一研磨面进行研磨而去除；及第二研磨步骤，在第一研磨步骤之后，将残存于支撑衬底或半导体衬底的斜面部的粘接层利用与第一研磨面不同的第二研磨面进行研磨而去除。

附图说明

图1(a)～(d)是对实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的图。

图2(a)及(b)是对实施方式2的半导体装置的制造方法进行说明的图。

图3是对实施方式2的半导体装置的制造方法进行说明的图。

具体实施方式

以下，对用来实施发明的实施方式进行说明。

(实施方式1)

参照图1对实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明。此外，在以下的附图的记载中，相同的部分是以相同的符号表示。但，附图是厚度与平面尺寸的关系、比率等与实物不同的示意性图。

图1是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的步骤剖视图，且为表示半导体衬底的边缘部周边的图。

如图1(a)所示，将支撑衬底1与半导体衬底3利用粘接层2粘接。具体来说，首先，准备以石英玻璃或硅作为主材料的支撑衬底1。支撑衬底1的与半导体衬底3对向的面(正面)为平坦，但侧面不平坦且朝向外侧成为凸形状。接着，通过CVD法、涂布法或溅镀法，在支撑衬底1上形成粘接层2。粘接层2使用丙烯酸系树脂等UV(Ultraviolet，紫外线)硬化性树脂或热固性树脂。进而，通过使半导体衬底3接触在粘接层2上，并对粘接层2进行UV照射或加热，而将半导体衬底3粘接在支撑衬底1上。半导体衬底3为与支撑衬底1大致相同的尺寸，且与支撑衬底1同样地侧面不平坦且朝向外侧为凸形状。半导体衬底3是以使形成有晶体管等半导体元件的面与粘接层2对向的方式粘接。此外，也可以通过将粘接层2形成在半导体衬底3上而并非支撑衬底1上，然后使半导体衬底3粘接在支撑衬底1，而使支撑衬底1与半导体衬底3粘接。