[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201811568837.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110534404B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 白野贵士;高野英治;丰田现;秦荣一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：
将支撑衬底与半导体衬底的第一面经由粘接层而粘接；
对所述半导体衬底的所述第一面及相反侧的第二面进行加工，而将所述半导体衬底薄膜化；
第一研磨步骤，在所述半导体衬底的薄膜化之后，将形成在所述支撑衬底或所述半导体衬底的斜面部的所述粘接层的一部分、所述半导体衬底及所述支撑衬底利用第一研磨面进行研磨而去除；及
第二研磨步骤，在所述第一研磨步骤之后，将残存于所述支撑衬底或所述半导体衬底的斜面部的所述粘接层利用与所述第一研磨面不同的第二研磨面进行研磨而去除；且
平行于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第一研磨面所成的劣角大于0°且为40°以下；
平行于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第二研磨面所成的劣角为20°以上且未达90°，且大于平行于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第一研磨面所成的劣角。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括如下步骤：在所述半导体衬底的薄膜化之前，将所述半导体衬底侧面的凸部的至少一部分去除。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
垂直于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第一研磨面所成的劣角大于垂直于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第二研磨面所成的劣角。
4.一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：
将支撑衬底与半导体衬底的第一面经由粘接层而粘接；
对所述半导体衬底的所述第一面及相反侧的第二面进行加工，而将所述半导体衬底薄膜化；
第一研磨步骤，在所述半导体衬底的薄膜化之后，将形成在所述支撑衬底或所述半导体衬底的斜面部的所述粘接层的一部分利用第一研磨面进行研磨而去除；及
第二研磨步骤，在所述第一研磨步骤之后，将残存于所述支撑衬底或所述半导体衬底的斜面部的所述粘接层利用与所述第一研磨面不同的第二研磨面进行研磨而去除；且
垂直于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第一研磨面所成的劣角为50°以上且未达90°。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
垂直于所述半导体衬底的所述第一面的方向与所述第二研磨面所成的劣角大于0°且为70°以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
